IXFN64N50PD3

IXFN64N50PD3图片1
IXFN64N50PD3图片2
IXFN64N50PD3概述

N-CH 500V 50A

底座安装 N 通道 50A(Tc) 625W(Tc) SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B


IXFN64N50PD3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 625W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 50A

输入电容Ciss 11000pF @25VVds

耗散功率Max 625W Tc

封装参数

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IXFN64N50PD3
型号: IXFN64N50PD3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N-CH 500V 50A
替代型号IXFN64N50PD3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXFN64N50PD3

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXFN64N50PD2

IXYS Semiconductor

完全替代

IXFN64N50PD3和IXFN64N50PD2的区别

IXFN48N50

IXYS Semiconductor

类似代替

IXFN64N50PD3和IXFN48N50的区别

IXFN55N50

IXYS Semiconductor

类似代替

IXFN64N50PD3和IXFN55N50的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台