IPW90R500C3FKSA1

IPW90R500C3FKSA1图片1
IPW90R500C3FKSA1图片2
IPW90R500C3FKSA1图片3
IPW90R500C3FKSA1图片4
IPW90R500C3FKSA1图片5
IPW90R500C3FKSA1图片6
IPW90R500C3FKSA1概述

INFINEON  IPW90R500C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R500C3FKSA1, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装


得捷:
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6.8A; 156W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# INFINEON  IPW90R500C3FKSA1  Power MOSFET, N Channel, 11 A, 900 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 / N-Channel 900 V 11A Tc 156W Tc Through Hole PG-TO247-3-1


IPW90R500C3FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 156 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.39 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1700pF @100VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, Power Management, 照明, 工业, Industrial, Consumer Electronics, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPW90R500C3FKSA1
型号: IPW90R500C3FKSA1
描述:INFINEON  IPW90R500C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
替代型号IPW90R500C3FKSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPW90R500C3FKSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPW90R500C3XKSA1

英飞凌

类似代替

IPW90R500C3FKSA1和IPW90R500C3XKSA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台