Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFETOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™T 功率 MOSFET
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
立创商城:
IPP100N10S3-05
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin3+Tab TO-220
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
通道数 1
漏源极电阻 4.8 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 8900pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free