IHW15N120R2

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IHW15N120R2概述

逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 357W Through Hole PG-TO247-3


得捷:
IGBT 1200V 30A 357W TO247-3


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
IGBT 1200V 30A 357W TO247-3


IHW15N120R2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 357 W

耗散功率Max 357 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IHW15N120R2
型号: IHW15N120R2
描述:逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
替代型号IHW15N120R2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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