对比图
型号 IGB20N60H3 IHW20T120 IRG4PC50KDPBF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin TO-263 T/RIGBT的沟槽场终止和技术，柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diodeCo-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 - 3 3
额定功率 170 W - 104 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 1200 V 600 V
额定功率(Max) 170 W 178 W 200 W
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
耗散功率 - - 104 W
上升时间 - - 49.0 ns
反向恢复时间 - 140 ns 50 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - - 200000 mW
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.9 mm 15.9 mm
宽度 - 5.3 mm 5.3 mm
高度 - 20.95 mm 20.3 mm
工作温度 -40℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99