IPB80N04S2L-03

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IPB80N04S2L-03中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 6000pF @25VVds

下降时间 27 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB80N04S2L-03
型号: IPB80N04S2L-03
描述:OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

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