IPD03N03LAG参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPD03N03LAG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 90.0 A

输入电容 5.20 nF

栅电荷 41.0 nC

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 90.0 A

输入电容Ciss 5200pF @15VVds

额定功率Max 115 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD03N03LAG

型号： IPD03N03LAG

制造商： Infineon 英飞凌

描述：OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

替代型号IPD03N03LAG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IPD03N03LAG Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
NTD110N02RT4G 安森美	功能相似	IPD03N03LAG和NTD110N02RT4G的区别
STD100NH02LT4 意法半导体	功能相似	IPD03N03LAG和STD100NH02LT4的区别
NTD85N02RT4G 安森美	功能相似	IPD03N03LAG和NTD85N02RT4G的区别