对比图
型号 IPD03N03LAG STD100NH02LT4 STD95N2LH5
描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorN沟道24V - 0.0042 ？ - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 24V - 0.0042з - 60A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFETN 通道 STripFET™ V，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 100 W 70 W
输入电容 5.20 nF - 1817 pF
漏源极电压(Vds) 25 V 24 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 90.0 A 60.0 A 40.0 A
上升时间 - 200 ns 38 ns
输入电容(Ciss) 5200pF @15V(Vds) 3940pF @15V(Vds) 1817pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 115 W 100 W 70 W
下降时间 - 35 ns 7 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 100W (Tc) 70W (Tc)
额定电压(DC) 25.0 V 24.0 V -
额定电流 90.0 A 60.0 A -
栅电荷 41.0 nC - -
漏源极电阻 - 5.00 mΩ -
漏源击穿电压 - 24.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free