对比图
型号 IPD03N03LAG NTD85N02RT4G STD95N2LH5
描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor85A,24V,功率MOSFETN 通道 STripFET™ V，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 2.4 W 70 W
输入电容 5.20 nF 2.05 nF 1817 pF
漏源极电压(Vds) 25 V 24 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 90.0 A 85.0 A, 17.0 A 40.0 A
上升时间 - 77 ns 38 ns
输入电容(Ciss) 5200pF @15V(Vds) 2050pF @20V(Vds) 1817pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 115 W 1.25 W 70 W
下降时间 - 12 ns 7 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) 70W (Tc)
额定电压(DC) 25.0 V 24.0 V -
额定电流 90.0 A 85.0 A -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 4.8 mΩ -
栅电荷 41.0 nC 17.7 nC -
漏源击穿电压 - 24 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 - 6.73 mm 6.6 mm
宽度 - 6.22 mm 6.2 mm
高度 - 2.38 mm 2.4 mm
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -