对比图
型号 ISL9N307AD3ST ISL9N308AD3ST FDD8876
描述 N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsN沟道逻辑电平UltraFET沟槽功率MOSFET的30V ， 50A ， 8mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mзN沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 73.0 A
通道数 - - 1
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 100 W 100 W 70 W
输入电容 - - 1.70 nF
栅电荷 - - 34.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A 73.0 A
上升时间 - - 91 ns
输入电容(Ciss) - - 1700pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 70 W
下降时间 - - 37 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - - 70W (Tc)
漏源极电阻 11.5 mΩ 8.00 mΩ -
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99