对比图
型号 FDD8876 ISL9N308AD3ST STD60N3LH5
描述 N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFETN沟道逻辑电平UltraFET沟槽功率MOSFET的30V ， 50A ， 8mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mзSTMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 73.0 A - -
通道数 1 - -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 100 W 60 W
输入电容 1.70 nF - -
栅电荷 34.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 73.0 A 50.0 A 24.0 A
上升时间 91 ns - 33 ns
输入电容(Ciss) 1700pF @15V(Vds) - 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W - 60 W
下降时间 37 ns - 4.2 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) - 60W (Tc)
漏源极电阻 - 8.00 mΩ 7.6 mΩ
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 1.8 V
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.39 mm 2.39 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -