ISC1210ER82NM参数规格_中文资料_数据手册PDF

ISC1210ER82NM概述

Ind Chip Shielded/Molded Wirewound 82nH 20% 50MHz 38Q-Factor 460mA 1210 T/R

82nH Shielded Wirewound Inductor 460mA 450mOhm Max 1210 3225 Metric

得捷:
FIXED IND 82NH 460MA 450MOHM SMD

贸泽:
Fixed Inductors .082 UH 20%

ISC1210ER82NM中文资料参数规格

技术参数

额定电流 460 mA

容差 ±20 %

电感 82 µH

自谐频率 900 MHz

测试频率 50 MHz

电阻DC） ≤450 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

电阻DC Max 11 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.49 mm

高度 2.21 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ISC1210ER82NM

型号： ISC1210ER82NM

制造商： Vishay Dale 威世达勒

描述：Ind Chip Shielded/Molded Wirewound 82nH 20% 50MHz 38Q-Factor 460mA 1210 T/R

立即咨询

替代型号ISC1210ER82NM

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
ISC1210ER82NM Vishay Dale 威世达勒	当前型号	当前型号
ISC1210EB82NM 威世达勒	类似代替	ISC1210ER82NM和ISC1210EB82NM的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

ISC1210ER82NM

Vishay Dale 威世达勒

当前型号

ISC1210EB82NM

威世达勒

类似代替

ISC1210ER82NM和ISC1210EB82NM的区别