IRFS11N50ATRRPBF

IRFS11N50ATRRPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 1423pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 170000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 D2PAK-263

外形尺寸

封装 D2PAK-263

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

数据手册

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型号: IRFS11N50ATRRPBF
制造商: VISHAY 威世
描述:功率MOSFET Power MOSFET

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