第一章模拟电子技术
1.电子技术的发展历史
1.2模拟电子技术的目标
1.2.1模拟电子技术的基本地位
1.2.2模拟电子技术的知识点结构
1.2.3模拟电子技术的研究角度
1.3模拟电子系统的评价和分析
方法
1.3.1.理论分析方法类型
1.3.2理论分析方法的本质
1.3.3实际测试
第二章半导体和PN结特性
2.1半导体材料
2.1.1N型杂质
2.1.2P型杂质
2.1.3多子和少子
2.1.4费米函数
2.1.5载流子浓度
2.2零偏置PN结
2.2.1内建结电势
2.2.2电场分布
2.2.3结电势分布
2.2.4.空间耗尽区域的宽度
2.3正偏PN结
2.3.1耗尽区宽度
2.3.少子电荷分布
2.4反偏PN 结
2.4.1耗尽区宽度
2.4.2结电容
2.5结电流密度
2.6温度依赖性
2.7高频交流模型
2.7.1耗尽电容
2.7.2扩散电容
2.7.3正偏模型
2.7.4反偏模型
第三章半导体二极管的特性及
分析
3.12极管的符号和分类
3.1.十二极管符号
3.1.二极管分类
3.二极管电压和电流特性
3.2.11测试电路建设和分析
3.2.2查看和分析SPICE网表
3.2.3二极管SPICE模型描述
3.2.四二极管正偏电压-电流
特性分析
3.2.5二极管反偏电压-电流
特性分析
3.2.6二极管电压-线性电流
化模型
3.三、二极管温度特性
3.3.1.二极管温度扫描分析
3.3.二极管温度二极管温度
特性图
3.四、二极管频率特性
3.4.1波特图工具的原理
3.4.2波特图使用说明
3.4.二极管频率特性分析
3.五二极管额定功率特性
3.6发光二极管及其特点
3.七齐纳二极管及其特点
3.7.1电压电流特性
3.7.电源管理器的设计
第四章二极管电路设计分析
4.十二极管整流器
4.1.1半波整流
4.1.2全波整流
4.1.输出平滑整流器
4.二极管峰值检测器
4.2.二极管峰值检测器原理
4.2.实现2包络检波器
4.三、二极管钳位电路
4.四、二极管斩波器
4.4.十二极管斩波器原理
4.4.二极管斩波器应用
4.5二极管倍压整流器
4.6压控衰减器
第五章双极结型晶体管的特点及
分析
5.晶体管的基本概念
5.双极结晶管符号
5.三双极结型晶体管SPICE
模型参数
5.双极结晶管的工作原理
5.4.双极结晶晶体管结构
5.4.2电压、电流和电荷控制
5.4.3晶体管的α和β
5.4.4BJT工作区域
5.双极结型晶体管输入5
输出特性
5.5.1输入特性
5.5.2输出特性
5.6双极结晶管电路模型
分析方法
5.6.1直流模型
5.6.2大信号模型
5.6.3厄尔利效应
5.6.4小信号模型
5.7密勒定理及其分析方法
5.7.1密勒定理及其推导
5.7.2密勒定理的应用
5.7.3密勒效应
5.8双极结型晶体管直流
偏置
5.8.1有源电流源偏置
5.8.2单基极电阻偏置
5.8.3发射极电阻反馈偏差
5.8.4射极跟随器偏置
5.8.5双基极电阻偏置
5.8.6偏置电路设计
5.共发射极放大器
5.9.有源偏置共射极放大器
5.9.电阻偏置共射极放大器
5.10共集电极放大器
5.10.有源偏置射极跟随器
5.10.2电阻偏置射极跟随器
5.11共基极放大器
5.11.1输入电阻Ri
5.11.2无负载电压增益Avo
5.11.3输出电阻Ro
5.12达林顿对晶体管
5.13直流电平移位和放大器
5.13.1电平移动法
5.13.直流放大器2电平移位
5.14双极结型晶体管电路
频率响应
5.14.1高频模型
5.14.2BJT频率响应
5.15BJT放大器的频率响应
5.15.1共发射极BJT放大器
5.15.2共集电极BJT放大器
5.15.3共基极BJT放大器
第六章双极结晶体管放大电路
应用
6.1BJT多级放大器及频率
响应
6.1.1电容耦合
6.1.2直接耦合
6.1.3级联晶体管
6.1.4频率响应
6.2BJT电流源原理
6.2.1基本电流源
6.2.2改进型基本电流源
6.2.3Widlar电流源
6.2.共射-共基电流源
6.2.5威尔逊电流源
6.2.6多重电流源
6.2.70增益放大器
6.2.8稳定电流源
6.3BJT差分放大器原理
6.3.1.使用阻性负载BJT
差分对
6.3.22基本电流镜有源负载
的BJT差分放大器
6.3.3.改进电流镜的差异
放大器
6.3.共4射极-共基极差
大器
6.3.5差分放大器频率响应
第七章双极结晶管电路反馈
原理及稳定分析
7.放大器反馈机制类型
7.2放大器反馈特性
7.2.闭环增益系数
7.2.2频率响应
7.2.3失真
7.3放大器反馈结构
7.3.串联-并联反馈结构
7.3.串联反馈结构
7.3.3并联-并联反馈结构
7.3.4.串联反馈结构
7.4放大器反馈分析
7.4.串联-并联反馈结构
7.4.串联反馈结构
7.4.并联-并联反馈结构
7.4.4并联-串联反馈结构
7.5放大器稳定性分析
7.5.闭环频率和稳定性
7.5.2.瞬态响应和稳定性
7.5.3.闭环极点和稳定性
7.5.4奈奎斯特稳定标准
7.5.判断相对稳定性
7.5.6相位裕度的影响
7.5.波特图分析稳定性方法
第八章金属氧化物半导体效应
管道特性及电路分析
8.金属氧化物半导体的效果
管基础
8.1.金属氧化物半导体的效果
管概述
8.1.金属氧化物场效应晶体管
符号
8.1.金属氧化物场效应管基本
概念
8.1.4MOSFET的SPICE模型
参数
8.2增强型MOSFET
8.2.1内部结构
8.2.2工作模式
8.2.3工作特性
8.3耗尽型MOSFET
8.3.1内部结构
8.3.2工作模式
8.3.3工作特性
8.4MOSFET低频模型
8.4.1直流模型
8.4.2小信号模型
8.4.3小信号分析
8.5MOSFET直流偏置
8.5.1MOSFET偏置电路原理
8.5.2MOSFET偏置电路设计
8.6共源极放大器
8.6.1采用电流源负载的共源极
放大器
8.6.2采用增强型MOSFET负载的
共源极放大器
8.6.3采用耗尽型MOSFET负载的
共源极放大器
8.6.4采用电阻负载的共源极
放大器
8.7共漏极放大器
8.7.1有源偏置的源极跟随器
8.7.2电阻偏置的源极跟随器
8.8共栅极放大器
8.9直流电平移位和放大器
8.9.1电平移动方法
8.9.2电平移位的MOSFET
放大器
8.10MOSFET放大器频率响应
8.10.1MOSFET高频模型
8.10.2共源极放大器频率响应
8.10.3共漏极放大器频率响应
8.10.4共栅极放大器频率响应
第9章金属氧化物半导体场效应
管放大电路应用
9.1MOSFET多级放大器及
频率响应
9.1.1电容耦合级联放大器
9.1.2直接耦合放大器
9.1.3共源-共栅放大器
9.2MOSFET电流源原理
9.2.1基本电流源
9.2.2改进型基本电流源
9.2.3多重电流源
9.2.4共源-共栅电流源
9.2.5威尔逊电流源
9.2.6零增益放大器
9.2.7稳定电流源
9.3MOSFET差分放大器原理
9.3.1NMOSFET差分对
9.3.2采用有源负载的MOSFET
差分对
9.3.3共源-共栅MOSFET差分
放大器
9.4耗尽型MOSFET差分放大器
原理
9.4.1采用阻性负载的耗尽型
MOSFET差分对
9.4.2采用有源负载的耗尽型
MOSFET差分对
第10章运算放大器电路的设计
和分析
10.1集成运算放大器的原理
10.1.1集成运放的内部结构
10.1.2集成运放的通用符号
10.1.3集成运放的简化原理
10.2理想运算放大器模型
10.2.1理想运算放大器的特点
10.2.2放大器“虚短”和
“虚断”
10.2.3叠加定理
10.3理想运算放大器的分析
10.3.1同相放大器
10.3.2反相放大器
10.4运算放大器的应用
10.4.1电压跟随器
10.4.2加法器
10.4.3积分器
10.4.4微分器
10.4.5半波整流器
10.4.6全波整流器
10.5单电源供电运放电路
10.5.1单电源运放
10.5.2运算放大电路的基本
偏置方法
10.5.3其他一些基本的单电源
供电电路
第11章集成差动放大器的原理
和分析
11.1差分放大器的基本概念
11.2差分放大器
11.3仪表放大器
11.4电流检测放大器
11.4.1低侧电流测量方法
11.4.2高测电流检测方法
11.5全差分放大器
11.5.1全差分放大器原理
11.5.2差分信号源匹配
11.5.3单端信号源匹配
11.5.4输入共模电压
第12章运算放大器的性能指标
12.1开环增益、闭环增益和
环路增益
12.2放大器直流精度
12.2.1放大器输入端直流参数
指标
12.2.2放大器输出端直流参数
指标
12.3放大器交流精度
12.3.1增益带宽积
12.3.2压摆率
12.3.3建立时间
12.3.4总谐波失真加噪声
12.4其他指标
12.4.1共模抑制比
12.4.2电源噪声抑制比
12.4.3电源电流
12.4.4运放噪声
12.5精密放大器指标
12.5.1TI精密运算放大器
12.5.2精密放大器选型步骤
第13章运算放大器电路稳定性分析
13.1运放电路稳定性分析方法
13.2Aol和1/β的计算方法
13.3外部寄生电容对稳定性的影响
13.3.1负载电阻影响的瞬态分析
13.3.2负载电阻影响的交流小信号
分析
13.4修改Aol的补偿方法
13.4.1电路的瞬态分析
13.4.2电路的交流小信号分析
13.5