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1、功率mos管分类
MOS管道是一种单极载流子参与导电的半导体装置。导电沟的载流子可分为N沟道和P沟。假设导电沟的载流子是电子的，则称为N沟通；假设载流子是空穴，则称为P沟道。MOS管道的导电沟可以在生产过程中形成，也可以通过连接外部电源形成。当网格压力等于零时，有一个通道（即在生产过程中形成的）被称为耗尽型，只有在施加外部电压后才构成通道被称为增强型。根据导电沟和通道组成的过程，MOS管道可分为：P沟增强型MOS管、P沟耗尽型MOS管、N沟增强型MOS管和N沟耗尽型MOS管。图四类MOSFET以及它们的图形符号。MOSFET一般很少选择P由于空穴迁移率低于电子迁移率，沟道尺寸相同，P晶体管比用于沟道N沟道的导通电阻大。
2、功率mos管工作原理
功率MOS管道从小功率MOS管道扩展。但在结构上，它们之间有很大的差异，以便更好地解决天文功率MOSFET机制，首先回忆一下小功率场效应管的机制。N沟通增强小功率MOSFET说明结构MOS管的原理。
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N沟通增强小功率MOSFET结构表示图
图1是N沟通增强小功率MOSFET结构表示图。
N沟道增强型MOS管掺杂的管道P型半导体作为衬底，在衬底上形成两种混合物N+区，然后在P一层薄的二氧化硅绝缘层生成在半导体上，然后在两个重混合物中N 区上端用光刻法蚀刻二氧化硅层，暴露N 区，最后两个N 区域外观和二氧化硅之间的外观通过蒸腾或溅射喷涂一层金属膜，构成MOS管道的三个电极分别称为源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。MOSFET特性可以用处理特性曲线和泄漏极输出特性曲线来表示。处理特性是指泄漏源之间的电压UDS在某一固定值时，栅极电压UGS相应的漏极电流ID关系曲线。图3是某种场效应管的处理特性。
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某种场效应管的搬运特性
图MOS晶体管的输出特性可分为可变电阻区、截止区、击穿区和恒流区四个区域。可变电阻区（UDS
在这个区域内，UDS增加时，ID线性增加。当导电沟接近断裂时，增长会减慢。UDS当分开夹断电压较大时，MOS管相当于电阻，这个电阻跟随UGS增加和减少。（UGS）
击穿区在相当大的漏——源电压UDS漏极电流在区域内几乎是常数。UDS未来加大道一定值，漏极PN结被击穿，漏电流迅速增加，曲线上翘，进入击穿区。（UDS>UGS-UT）保护上述三个区域的区域是饱满区，也称为恒流区或放大区。MOSFET应用在开关电源和逆变器等功率变换中，就是工作在截止区和击穿区两个区。
3、功率mos管结构特性
图中MOSFET由于两个原因，结构不适合在大功率场所使用。一方面，结构上的小功率MOSFET三个电极在一个平面上，通道不能很短，通道电阻很大。另一方面，导电通道由外部感应电荷组成，通道电流为外部电流。为了增加电流容量，有必要增加芯片面积。这种结构不太可能实现大电流。为了防止它MOSFET在大功率下，载流能力太小，导电阻太大MOSFET一般选择两种技能，一种是数百万小功率MOSFET单胞并联，前进MOSFET载流人才。另一种技能是正确的MOSFET间歇改进结构，选择笔直V型槽结构。图3是V型槽MOSFET结构剖面图。
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V型槽MOSFET结构剖面图
图3V型槽MOSFET在结构中，漏极是从芯片的反面引出的，因此ID不是沿芯片水平移动，而是自重混合N区（源极S）启航，通过P沟通流入轻掺杂N漂移区，最终笔直向下抵达漏极D。如图所示，电流方向可以通过大电流，因为流动截面积增大。在相同的电流密度下，体积也大大降低。
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