2009年第6期第27页27页
电气传动自动化
E.ECTRICDRIVEAUTOMATION
Ｖ０１．３１。Ｎｏ．６
２００９。３１(６)：２７—３１
文章编号:1005-7277(2009J06-0027-05)
Matlab模拟研究逆变器用IGBT吸收电路
张全柱、黄成玉、邓永红
(北京101601)华北科技学院信息与控制技术研究所
摘要：IGBT的开关速度非常高。过电压通常在关闭过程中产生，吸收电路（缓冲电路）通常添加到IGBT旁边的实际电路中。描述和比较了五种吸收电路的特性、比例和应用范围，并使用Matlab软件模拟了IGBT（两个第五代IGBT模块）的吸收电路，并给出了试验波形和优化的吸收电路参数选择。
关键词:IGBT过电压；吸收电路；模拟；参数选择；
中图分类号：TM464文献标识码：B
Matlabsimulatinterterterterterterchertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertengertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertertererterterterterterterterterterterterererererertererterterterterterterterterterterterterterterterterererererererertertererterterertertertertertertertertertertertertertertererterterterterterterterterterterterterterterterterterterterererterterterterterererertererterererertertertertertertertertererer
ZHANGQuart-zh%HUANGheng-yu，DENGyong-hong
(Noahchinainstitercentechnolgy，Informationdcontechnolgy
Researchinstitute。
Absract:nesract:
hightingsterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterterter
Keywords:IGBTovervoltage；snuber；，simulation；
ｌ引言
IGBT绝缘格栅双极晶体管(Insulatedgatete)
作为一种具有MOSFET和电力晶体管的新型复合装置，Bipolartransistor是一种输入阻抗高、驱动功率小、开关速度高的电压控制犁装置，在电力和电子领域得到了越来越广泛的应用。然而，由于IGBT在关闭过程中可能产生过电压，IGBT吸收电路（缓冲电路）在实际电路中至关重要。
2IGBT过电压和吸收电路
2.1IG盯过电压分类
IGBT过电压主要分为关闭过电压和换相过电压…。
(1)关闭过电压
IGBT的开关速度很高，关闭时会产生大的di/dt，从而在模块周围的分布电感L上产生高的l(di/dt)(关闭浪涌电压)。如果没有限制，可能会导致设备过压击穿。
(2)换相过电压
当续流二极管反向恢复时，也会产生过电压（浪涌电压）。当IGBT导通时，二极管的电流迅速降至0，并趋于关闭。其反向恢复过程继续将电流降至负最大值。当电流再次快速恢复到0时，会产生相当大的di/dt，然后在母线寄生电感上感应V。=L。di/dt的电压防止电流降低。与直流电压叠加对IGBT的耐压性构成威胁。
2.2IGBT吸收电路的类型和特点
吸收电路又称缓冲电路，是抑制过电压的重要方法之一。
IGBT的吸收电路分为充放电型和放电阻止型。如图1、2、3所示，充放电吸收电路一般分为RC充放电吸收电路、RCD充放电吸收电路和C吸收电路。放电阻止型吸收电路一般分为放电阻止型RCD吸收电路(A)和放电阻止型RCD吸收电路(B)。
如表l所示为充放电吸收电路，如表2所示为放电阻止吸收电路类型比较。
对IGBT吸收电路的建模和研究
研究吸收电路对IGBT过电压的抑制