磁的基本概念
- 磁的基本现象
- 电流与磁场
- 磁性单位和电磁基本定律
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- 磁感应强度
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- 磁通
- 磁导率和磁场强度
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- 磁导率( μ \mu μ)
- 磁场强度( H ˙ \dot{H} H˙)
- 安培环路定律
- 电磁感应定律
- 电磁能量关系
- 指南针
- 电磁的两个基本定律主要用于工程:全电流定律和电磁感应定律。
磁的基本现象
- 磁性:自然界中有一种物质,如铁、镍和钴,在一定条件下可以相互吸引,称为磁性。
- 磁化:磁化上述物质的过程。
- 磁性物质/磁介质:能被磁化或被磁性物质吸引的物质。
- 能保持磁性的磁性物质称为永久磁铁。磁铁两端磁性最强的区域称为。如果悬挂棒状磁铁,磁铁的一端指向南方,另一端指向北方。指向南方的一端是;指向北方的一端是。南极或北极不能单独存在。如果磁铁分为两部分,它们将成为南极和北极的两个新磁铁。
- 如果两个磁极靠近,则在两个磁极之间产生作用力:同性相斥、异性相惜。这个作用力是在磁极周围空间传递的,这里存在磁力作用的特殊物质,称为磁场。
- 磁场具有一定的能量,就像物体的万有引力场和电荷电场一样。它本身的特点是:
- 磁场对载流导体或运动电荷的性能力。
- 在磁场中运动时,载流导体要做功。
- 图像描述磁场,将小磁针放在磁铁附近,在磁力作用下,小磁针将排列成相应的形状。从磁铁的N极到S极的小磁针排列成一条光滑的曲线,称为磁线、磁感应线或磁线。

- 将N极指向S极定义为正方向。磁线是磁铁外部和内部的连续闭合曲线。曲线每个点的切线方向是磁场方向。力线的数量代表磁场的强度。在磁极附近,力线密集,表示磁场强;在磁极的中心表面附近,力线稀疏,表示磁场非常弱。
- 注:磁场中没有真正的线存在于磁场中,也没有物理量在这些线条中流动,只是磁现象的概念形象。
电流与磁场
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物质的磁性是由电流产生的。
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永久磁铁的磁性是由分子电流产生的,分子电流是由磁性材料原子中的电子围绕原子核旋转和旋转形成的。电子运动形成一个小磁体,在晶格中排列在一个方向,形成一个小磁区域——。
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电流和磁场是不可分割的,磁场是由电流产生的,电流总是被磁场包围。
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运动电荷或载流导体产生磁场。可归纳为安培定则,即右手定则。
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右手定则/安培定则
- 导线:右手握住导线,拇指指向电流流通方向,其余四指指向磁场方向。
- 螺管线圈:右手握住螺管,四个指向电流方向,拇指指向磁场方向。
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磁场分析两个平行载流体导体
- 给出下图
- 每个导体流过相等的电流,但方向相反,即一对连接到负载的导线。
- 实现代表磁通、虚线等位面的截面图。
- 每根导线都有一个独立的磁场,磁场是对称的,并从导线中心向外径向辐射,随着离导体距离的增加,磁场的强度降低。
- 由于产生场的电流方向相反,两个场的值相等,但极性相反。两个场叠加在一起,导线之间的区域相互增强,能量最大;在导线周围的其他地方,特别是远离两个导线的外部磁场强度相反,几乎相等,并倾向于抵消。
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空心线圈磁场分析
- 如下图所示
- 在线圈中叠加每根导线的单个场,产生高度集中、线条流畅的场。
- 在线圈外,场是发散的,很弱。
- 虽然存储在线圈中的能量密度很高,但由于体积扩展到无限大,在线圈外的弱磁场中也存储相当大的能量。
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注:磁场不能被绝缘物体隔离,磁绝缘不存在。然而,磁场可能会短路。如果将空心线圈放入铁盒中,盒子提供磁回路径,盒子屏蔽线圈和外部。
磁性单位和电磁基本定律
磁感应强度
- 为了测量磁场的强度,可以通过电磁之间的力来定义。将单位长度的导线放置在均匀的磁场中,通过单位电流的力表示磁场的强度-磁感应强度 B ˙ \dot{B} B˙。定义关系如下 B ˙ = F ˙ I l \dot{B}=\frac{\dot{F}}{Il} B˙=IlF˙
- 磁感应强度表示磁场内某点磁场的强度和方向的物理量。
- B ˙ \dot{B} B˙是矢量。力 F ˙ \dot{F} F˙,电流 I I I(在导线 l l l内流通)和磁感应强度 B ˙ \dot{B} B˙三者之间是正交关系,通常用左手定则确定。
- 左手定则:伸开手指,四手指指向电流方向,大拇指指向力的方向,则磁场指向手心。如果磁场中各点的磁感应强度是相同的且方向相同,则此磁场是均匀磁场。
- 单位问题, B ˙ \dot{B} B˙在国际单位制(SI)中是特斯拉,简称特,代号T。在电磁单位制(CGS)中为高斯,简称高,代号Gs。关系为 1 T = 1 0 4 G s 1T=10^4Gs 1T=104Gs。
磁通
- 垂直通过一个截面的磁力线总量称为该截面的磁通量,简称磁通。
- 磁通用 ϕ \phi ϕ表示,通常磁场方向和大小在一个截面上并不相同,则通过该截面积 A A A的磁通量用面积分求得:
- d ϕ d\phi dϕ:通过单元 d A ˙ d\dot{A} dA˙截面积的磁通;
- α \alpha α:截面的法线与 B ˙ \dot{B} B˙的夹角。
- 在一般磁芯变压器和电感中,给定结构磁芯截面上,或端面积相等的气隙端面间的磁场 B ˙ \dot{B} B˙基本上是均匀的,则磁通可以表示为: ϕ = B A \phi =BA ϕ=BA
- 磁通是一个标量,单位在SI制中为韦伯,简称韦,代号Wb,可有 B B B和 A A A的单位导出: 1 ( W b ) = 1 ( T ) × 1 ( m 2 ) 1(Wb)=1(T)×1(m^2) 1(Wb)=1(T)×1(m2)在CGS单位制中磁通单位为麦克斯韦,简称麦,代号Mx,关系: 1 M x = 1 G s × 1 c m 2 1Mx=1Gs×1cm^2 1Mx=1Gs×1cm2可推出: 1 M x = 1 0 − 8 W b 1Mx=10^{-8}Wb 1Mx=10−8Wb
- 在均匀磁场中,磁感应强度可以表示为单位面积上的磁通,由等式可得: B = ϕ A B=\frac{\phi}{A} B=Aϕ 所以磁感应强度也可以称为磁通密度,可见: 1 G s = 1 0 − 4 W b / m 2 = 1 0 − 8 W b / c m 2 1Gs=10^{-4}Wb/m^2=10^{-8}Wb/cm^2 1Gs=10−4Wb/m2=10−8Wb/cm2
- 因为磁力线是无头无尾的闭合线,所以,对于磁场内任意闭合曲面,进入该曲面的磁力线应当和穿出该曲面的力线数相等,即穿过闭合曲面磁通总和为0,这称为高斯定理。
磁导率和磁场强度
磁导率( μ \mu μ)
- 电流产生磁场,但电流在不同的介质中产生的磁感应强度是不同的。
- 在相同条件下,铁磁介质中所产生的磁感应强度比空气介质中大得多。为了表征这种特性,将不同的磁介质用一个系数 μ \mu μ来表示, μ \mu μ称为磁导率,表征物质的导磁能力。在介质中, μ \mu μ越大,介质中磁感应强度 B B B就越大。
- 真空中的磁导率一般用 μ 0 \mu_0 μ0表示。空气、铜、铝和绝缘材料等非磁材料和真空磁导率大致相同。而铁、镍、钴等铁磁材料及其合金的磁导率都比 μ 0 \mu_0 μ0大10~105倍。
- 起初,将真空磁导率 μ 0 \mu_0 μ0定义为1,其他材料的磁导率实际上是真空磁导率的倍数。沿用了很长时间,且影响了一些基本关系式的表达,就是公式中常出现的4π,这就是非合理化单位制(CGS)的来由。近代物理经过测试,实际真空磁导率为 μ 0 = 4 π × 1 0 − 7 H / m \mu_0=4π×10^{-7}H/m μ0=4π×10−7H/m 。因此其他材料的实际磁导率应当是原先磁导率乘以 μ 0 \mu_0 μ0,因为在 μ 0 \mu_0 μ0包含了4π,这样在所有表达式中没有了讨厌的4π,形成了合理化单位制(MKS制)。将其他材料磁导率高于真空磁导率的倍数称为相对磁导率 μ r \mu_r μr 。
磁场强度( H ˙ \dot{H} H˙)
- 用磁导率表征介质对磁场的影响后,磁感应 B ˙ \dot{B} B˙与 μ \mu μ的比值只有与产生磁场的电流有关。即在任何介质中,磁场中某点的 B ˙ \dot{B} B˙与该点的 μ \mu μ的比值,定义为该点的磁场强度 H ˙ \dot{H} H˙,即 H ˙ = B ˙ μ \dot{H}=\frac{\dot{B}}{\mu} H˙=μB˙ H ˙ \dot{H} H˙也是矢量,其方向与 B ˙ \dot{B} B˙相同。
- 所谓某点磁场强度大小,并不代表该点磁场的强弱,代表磁场强弱是磁感应强度 B ˙ \dot{B} B˙。比较确切地说,矢量 H ˙ \dot{H} H˙应当是外加的磁化强度。
安培环路定律
- 安培环路定律/全电流定律:安培发现在电流产生的磁场中,矢量 H ˙ \dot{H} H˙沿任意闭合曲线的积分等于此闭合曲线所包围的所有电流的代数和。
- H ˙ \dot{H} H˙—磁场中某点A处的磁场强度; d l ˙ d\dot{l} dl˙—磁场中A点附近沿曲线微距离矢量; α \alpha α— H ˙ \dot{H} H˙与 d l ˙ d\dot{l} dl˙之间的夹角。 Σ I \Sigma I ΣI—闭合曲线所包围的电流代数和。
- 电流方向和磁场方向的关系符合右螺旋定则。如果闭合回线方向与电流产生的磁场方向相同,则为正,反之为负。
- 图1-6(a)中环路包围只有 I I I,所以 Σ I = I \Sigma I=I ΣI=I;图1-6(b)中环路包围的是正的 I 1 I_1 I1和负的 I 2 I_2 I2,则 Σ I = I 1 − I 2 \Sigma I=I_1-I_2 ΣI=I1−I2, I 3 I_3 I3不在环路之内。
- 举例——环形线圈,环内的介质是均匀的,线圈匝数为 N N N,取磁力线方向作为闭合曲线方向,沿着以 r r r为半径的圆周闭合路径 l l l
- 可得等式 ∮ H ˙ d l ˙ = H l = 2 π r × H = Σ I = I × N \oint\dot{H}d\dot{l}=Hl=2πr×H=\Sigma I=I×N ∮H˙dl˙=Hl=2πr×H=ΣI=