1. STM32 数据手册电源部分研究
RTC电源管脚为V BAT, 电源范围为1.8~3.6V，主要用于RTC时钟供电， RTC在大多数情况下，它被用来保存一些重要的参数，如电脑主板boss的信息， 如果这个电源丢失，它将无法重启。这通常用于单片机中的低功耗设备RTC在普通情况下，定期唤醒功能MCU常用于实时钟。 
VDD为数字电源，电源范围也是1.8~3.6V，电压转换器集成在芯片内，芯片内核电源一般为1.2V，图示的Regulator为转换器，将VDD电源稳压至1.2V。建议加入11000数据手册nF和4.7uF但在实际应用中，只需要每个电容VDD加入一个100nF去耦电容， 下图为模拟电源部分，V_DDA芯片模拟器件采用电源，PLL锁相环等供电也用于ADC和DAC模数模转化器供电，图示VREF为ADC和DAC在一些常用的设计中，可以直接使用参考电源VREF建议在一些微弱信号的模拟电路中连接电压基准芯片，以确保参考电压的稳定性。建议使用数据手册VDDA加入一个10nF和1uF的电容， 我们在这里用10uF 100nF的电容，而VREF也建议使用10nF 1uF，我们还是用10uF 100nF。
2. TYPE-C电路设计
为方便供电，我们使用6P的type-c接口，6Pin的type-c只能用于供电，所以我们的核心板不作为USB通信。
2.1 USB外壳管脚的处理
经常接触连接器的金属外壳， 然而，手经常有静电(ESD),静电是高压大电流，不能直接连接到板上GND，否则会烧板，需要在外壳和板上GND大电阻间接(一般为1)M）进行隔离。可以不接吗？不接也不行， 因为板子上会有噪音和干扰，所以要放在地上，但是接口上要注意隔离，所以需要大电阻(1M,通过人体模型来的)进行隔离，下图为最简单的处理，从电磁干扰(EMS)从角度看，板会产生高频干扰，这些干扰会通过排放到地面上，这些干扰会通过C2电容进行泄放，由于静电，电容值很小，因此需要采用高耐压值，因为过滤的是高频信号。
2.2 防反接、防倒灌设计
为了使电源更加稳定，本设计增加了肖特基二极管进行反向连接和反向灌溉设计。肖特基二极管具有压降小、开关速度快、瞬时浪涌功率吸收等特点，具有以下功能
- ：当usb接口反时，不会有GND->VBUS虽然采用了USB这种情况不会存在，但在设计上还是要考虑的)
- ：LDO效率计算公式为： Vout/Vin，不加二极管时，大约是 3.3/5=66%, 添加二极管后，为 3.3/4.5=73%
- ：当USB断开时，此时USB这里会迅速断电，但由于储能电容的存在，负载电路不会迅速断电，导致电流流入USB，加上肖特基二极管止电流倒灌。
3. LDO RT9193-33电路设计
考虑到核心板体积小，我们使用小包装LDO， 本设计采用RT9193-33 LDO进行设计。由于USB电源相对稳定， 因此，电源输入级储能滤波电容可以较小。输入电源采用大后小结构，储能滤波采用大，高频噪声去除小，输出电源也采用大小结构，STM32数据手册说接入至少4.7uF的电容， 所以我们这里用10uF配备电容器，以去除高频噪声。为了更直观地检查电源是否正常工作， 本设计在电源输出端增加了电源指示灯电路。
4. MCU模拟电源π形状滤波电路设计
本设计采用磁珠隔离，因为它为模拟电路供电。磁珠具有以下特点：
- 低频相当于0R电阻
- 相当于高频时的电感
- 相当于电阻和电感串联，但电阻值和电感值随频率变化。在高频段，阻抗由电阻成分组成。随着频率的增加，磁芯的磁导率降低，导致电感的电感量和感抗成分降低。然而，当磁芯损耗和电阻成分增加时，总阻抗增加。当高频信号通过铁氧体时，电磁干扰被吸收并转化为热能。
下图是采用π型滤波器，根据数据手册，模拟电源至少应放置4.7uF储能电容器也需要大小电容器结构。
5. RTC电源滤波电路设计
RTC电源处不要有太多的电容器，因为电容器也会泄漏，因为RTC一般用于低功耗场合uA但是电容自然会漏电，一般也是uA，如果在电源处添加大量电容，会导致严重漏电和增加RTC功耗大大缩短了使用时间。在正常设计中只需添加100个nF电容。
5. 数字电源滤波电路设计
数据手册上说有11个100nF和1个4.7uF在我们的设计中，不需要放那么多电容，有多少电容？VDD只需放置多少个去耦电容即可。
这是绘制电源部分的原理图连接: 原理图链接.