用于识别和测量给定发射中的频率，例如载波频率可以指定为特征频率。 对组件而言，特征频率是指其主要功能下降到不易使用时的截止频率。例如，对于用作放大的有源装置1-双极晶体管和场效应晶体管，特征频率是指电流放大系数下降到1时的频率，即共发射极组态作为放大的截止频率。作为检波、开关等无源二极管，其特征频率是指当阻抗降低到非常小且无法吸收信号功率时，截止频率是其特征频率。
场效应管（JFET、MESFET、HEMT）的特征频率ft指输出端短路、电流放大系数为1(即输入电流)=输出电流时的频率，又称共源组态增益带宽乘积；它主要由栅极电容组成Cg决定。可以给出简化的小信号高频等效电路ft=gm/2mCg=1/2mT，即ft格栅极下载流子的穿越时间决定T。
对于长沟道（u常数设备：T=L/μEy~L2/μVds，则ft=uVds/2TL；短沟道(漂移速度饱和vs）的器件：T=L/vsL，则ft=vs L/2mL。若再计入寄生电容器CL，截止频率为ft=gm/[2m（Cg CL）]=（1/2TT）[1 （CL/Cg）]-1。
增大跨导gm、减小栅电容Cg、减短沟长L、增加迁移率或饱和漂移速度vs。
对HEMT(高电子迁移率晶体管)EMT控制层的厚度可以相对较小，Cgs（即gm）截止频率高，工作速度快。
BJT的特征频率ft其共发射极组态的电流放大系数|βI下降到1点的频率，也称为晶体管的增益带宽乘积。βo是低频电流放大系数，fβ是所谓β截止频率，在f>〉fβ时可有IBIf=βo fβ=ft。所以，只要高于fβ测量频率|β一、就能得到ft。
BJT的特征频率ft可用电子从发射极到集电极的有效过渡时间Tcc来表示为：ft=（2T T cc）-1，式中T cc=T E T B T D r C，TE=（kT/q Ic）CjE是发射结的充电时间，TBTF是电子穿越中性基区的时候，TF将电荷存储在基区和发射区(略大于)所需的时间TB），TC=（kT/qIc rc）CjC是集电结的充电时间，TD=Xdc/vs饱和漂移速度是电子的vs跨越集电结耗尽层Xdc的时间；对ft一般来说，决定作用的主要因素是TB，二是结电容(尤其是集电结电容)。ft与物理管的工作点有关，因此使用晶体管和测试ft工作点需要合理选择。
①在ft不太高的时候往往是TB要发挥主要作用，需要降低基区宽度（薄基区采用浅结工艺），增加基区电场因子n（为了减少阻滞场，增加发射结一侧的混合浓度和发射区杂质分布的陡峭程度，但如果混合浓度过高，扩散电子系数会降低，因此n通常控制在3~6之间）；
②在ft当基区宽度较高时，必须很小，TB必须考虑较短TE、TD和TC因此，需要降低发射结的动态电阻(选择较大的集电极电流)和势垒电容(降低发射结面积)，降低集电结的势垒厚度(降低集电区的电阻率，但要考虑击穿电压)，降低集电极串联电阻rC(降低集电区电阻率)和势垒电容Cjc(减少集电结面积)。