晶体管与场效应管的区别
这是一个小小的个人阅读笔记，只是希望能帮助你。来源-模拟电子技术基础（第五版、董诗白、高等教育出版社）。
晶体管网极的场效应G、源极S、与晶体管相对应的基极DB、发射极E、集电极C，它们的功能相似。
一、场效应管用栅-源电压U-GS控制漏极电流I-D，栅极基本上没有电流。当晶体管工作时，基极总是需要一定的电流。因此，高输入电阻电路应选择现场效应管；如果信号源能提供一定的电流，则可选择晶体管。
2、场效应管只有多子参与导电。晶体管中有多子和少子参与导电，少子数受温度、辐射等因素影响较大。因此，场效应晶体管比晶体管具有更好的温度稳定性和更强的抗辐射能力。因此，当环境条件发生巨大变化时，应选择场效应晶体管。
3、场效应晶体管的噪声系数很小，因此低噪声放大器的输入水平要求高信噪电路应选择场效应晶体管。当然，也可以选择特殊的低噪声晶体管。
4、场效应管的漏极和源极可以交换使用，交换后特性变化不大。晶体管的发射极与集电极交换后的特性差异很大，因此只有在特殊需要时才能交换并倒置，如集成逻辑电路。
5.场效应晶体管的种类比晶体管多，特别是耗尽型MOS管道栅-源电压U-GS可正、可负、可零，可控制漏极电流。因此，晶体管比晶体管更灵活。
6、场效应晶体管和晶体管可用于放大电路和开关电路，形成多种集成电路。然而，由于场效应晶体管的集成过程更简单，功耗低，工作电源电压范围广，场效应晶体管越来越多地用于大规模和超大规模的集成电路。