MOS管道在开关电路中的作用是转换信号，控制电路的通断。
金属氧化物半导体的效果(MOS)晶体管可分为N沟和P沟两类， P沟道硅MOSN型硅衬底上有两个场效晶体管P 该区域分别称为源极和泄漏极。当源极有足够的正电压（栅极接地）时，栅极下的N硅表面呈P反向层，成为连接源极和泄漏极的沟。
改变网压可以改变沟内的孔密度，从而改变沟的电阻。MOS场效应晶体管称为P沟增强场效应晶体管。
N沟道的MOS在管道的电路中，BEEP引脚可以高电平导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管道用于控制GPS模块电源通断，GPS_PWR低电平时引脚，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。
NMOS的特性，Vgs如果大于一定值，则导通，适用于源极接地（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs如果小于一定值，就会导通，适合源极接VCC情况(高端驱动)。然而，尽管如此PMOS它可以很容易地用作高端驱动，但由于导通电阻大、价格昂贵、替代品种少，通常用于高端驱动NMOS。
PMOS集成电路是一种适用于低速、低频领域的设备。PMOS-24集成电路V电压供电。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 。