与晶体管相比，

网极的场效应管 g , g, g,源极 s s s ,漏极 d d d对应晶体管的基极 b b b,发射极 e e e,集电极 c c c,它们的功能相似。 一、场效应管用栅–源电压 u c s u_{cs} ucs控制漏极电流 i D i_D iD,网极基本不取电流。而晶体管工作时基极 一定的电流总是需要的。因此，输人电阻高的电路应选择场效应管；如果信号源能提供一定的信号 晶体管可用于电流。 二、只有多子参与导电。晶体管内有多子和少子参与导电,而少子数目 受温度.辐射等因素影响较大，因此场效应管的温度稳定性优于晶体管.抗辐射能力强 在环境条件变化较大的情况下，应选择场效应管。 三、噪声系数很小，因此，低噪声放大器的输入水平和高信噪比R的电路应该是 选用场效应管。还可选用专用低噪声晶体管。 四、可以交换场效应管的漏极和源极,交换后特性变化不大。晶体管的发射极和集 电极交换后，特性差异很大，所以只有在特殊需要时才会交换成倒置状态，比如集成逻辑电路。 五、场效应管种类比晶体管多，尤其是耗尽型MOS管,栅–源电压ugs可正、可负、可零， 漏极电流均可控制。电路时场效应管比晶体管更灵活。 六、场效应管和晶体管可用于放大电路和开关电路，形成多种集成电路。 但由于场效应管集成工艺更简单,且具有耗电省、工作电源电压范围宽等优点,因此场效应管越来越多地应用于大规模和超大规模集成电路中。