三极管的导通条件
1.截止区：
其特点是发射结电压小于开启电压，集电结反向偏置。对于共射电路，UBE《=UON且UCE》UBE 。此时IB=0，而iC《=ICEO。小功率硅管ICEO 在1uA以下是锗管ICEO小于几十微安。因此，晶体管截止日期在近似计算中被认为是iC=0。
2.放大区：
其特点是发射结正偏(UBE大于发射结开启电压UON)而集电结的反向偏置。对于共射电路，UBE》UON且UCE》=UBE (即UC》UB》UE)。此时的，iC几乎只决定IB，而与UCE无关，表现出来IB 对 iC控制作用，IC=？IB。理想情况下，当IB输出特性是一组横轴等距平行线。(简单地说对NPN型管，C点电位B点电位》E点电位，对PNP型管，是E点电位B点电位》C点电位，这是放大的条件。)
3.饱和区：
其特点是发射结和集电结处于正偏。对于共射电路，UBE》UON且 UCE《UBE。此时IC不仅与IB而且明显随和UCE增加而增加，IC《IB。在实际电路中，如晶体管UBE增大时，IB但是IC晶体管进入饱和区，增加不多或基本不变。对于小功率管，可以认为是当UCE=UBE，及UCB=0时，晶体管处于临界状态，临界饱和放大。
以两者为基础pn决定结的偏置条件：
发射结正偏，集电结反偏-放大状态；
发射结偏，集电结偏饱和；
发射结反偏，集电结也反偏-截止状态。
这些状态之间的转换可以通过输入电压或相应的输入电流来控制。例如，当输入电流增加时，当输出电流在负载电阻上的压降等于电源电压时，电源电压完全降落在负载电阻上，因此集电结变为0偏差电压，然后变为正偏差电压——从放大状态变为饱和状态。输入电压反偏时，发射结和集电结均为反偏，无电流通过，即截止状态。
正偏和反偏的区别:对NPN晶体管，当发射极连接电源正极和基极连接负极时，发射结为正偏，反之亦然；当集电极连接电源负极、基极（或发射极）时，集电结反偏，反之亦然。简而言之，当p型半导体连接正极时，n当型半导体接负极时，则为正偏，反之亦然。
1 三极客的饱和状态确实取决于外部偏置电阻电路，但不一定需要提前设置。例如，当集电极电阻的参数处于适当范围时，三极客是否饱和主要取决于基极的控制。开关三极管是这样工作的，要么截止日期，要么饱和，要么基极控制。
2 当三极客饱和时，两个PN结不是都处于正偏状态，发射结处于正偏状态。应特别注意集电结。虽然集电结电压可以是正的，但永远达不到门值，所以集电结不是正的。如果集电结的正电压达到门值，则反向集电结（极）少子电流将消失，取而代之的是基极指向集电极的正多子电流。此时，三极管完全等效为两个二极管，纯粹是集电结的正导电流（即二极管电流），不再具有集电极电流的任何意义。
因此，在饱和状态下，发射结为正偏差，集电结为零偏差不为正偏差。因此，集电极的电流仍由发射区的少子组成，属于少子的反向导电流。为什么是反向的，已经解释过了。
要使三极管饱和导通条件是什么？
电压描述为：三极管发射结正偏置、集电结零偏置或正偏置；
Ube ≈ 0.7 V，Ubc ≥ 0 V 。
在电流方面，基极电流乘以放大倍数大于集电极电流：
Ib * β 》 Ic ≈ Vcc / Rc，集电极电阻电压除外.