前言：
正文：
半导体材料硅制成晶体管。
硅的结构长度如下：每个硅原子都与其他四个相邻的硅原子相连，其价格有四个电子层
你可以把他比作一个四个电子硅小人，但这个四个电子与相邻硅原子共享。
现在电子们都在各自的地方共价键里。
如果纯硅导电，电子会吸收一些能量，变成自由状态。但是纯硅的导电性很低，所以电子仍然无法摆脱它。
但有一种技术叫做Doping，他通过参杂志来提升半导体的导电率，比如①可以注入价电子为5的磷。这就是N型Doping（N-type Doping）
此外，②也可以注入价格电子为3的硼。这就是P型Doping（P-type Doping）
这个时候会产生一个可以放电子的空穴。相邻的电子可以随时填充并行成穴位对位运动。
通过以上两种方式注入你想要的Doping，晶体管形成。
要了解组件内部发生了什么，我们可以先看一个简单的二极管。
1、右边是N-type Doping，每个磷原子和硅原子的结合都会增加一个电子；左边是P-type Doping，每一个硼原子与硅原子的结合都会产生一个洞穴。在它们的交界处，
2.右边的电子会向左边的空穴移动，使P的边界有轻微的负电，N这里的边界的正电。
边界处形成的电场将防止任何电子进一步迁移。
此时，如果二极管连接到电源。
假如正极接N端，负极接P端。
4.此时，同性相吸异性相斥的原理，P的大量空穴聚集在负极，N的大量电子聚集在正极。在这种情况下，不可能有电流。
但如果反转电源，正极接P端，负极接N端，情况完全不同。
假设电源有足够的电压来克服电位障碍
负极处的N端电子被推向P边界，克服电位障碍，很容易占据P部分的空穴。与此同时，由于P端正极的吸引力，这些电子继续占据右端的空穴，最终流向外部电路。正向偏压二极管。
注意，P层很窄，并且Dope程度很浅。
他的结构可以被称为两个二极管的背对背连接，所以无论电源的方向如何，一侧的二极管总是反向偏压堵塞电流。
此时，我们可以单独向其中一个二极管施加电源电源有足够的电压克服电位障碍，使二极管形成正向偏压，
现在大量的电子可以从N端发射，突破电位障碍，进入P，占据空穴，最终进入外部电流，但空穴很少。大量电子没有空穴，被第一电源的正极吸引，流向第一电源的正极。同时，P部分非常狭窄，这确保了没有电子流向第二电源的正极。
这样，一个小的基极电流它被放大到大集电极电流。
这是一个双极性晶体管
连接多个晶体管
还记得我们之前提到的电源吗？为了达到放置基极电流的效果，第二个电源的电压足够高，
移动电子克服电位障碍。然后，如果我们想关闭该功能，我们可以改变第二个电源的电压，使其不足以克服电位障碍的移动，从而形成可控开关。