??姜玉龙的课程-半导体器件(截图，图中的一些红点是鼠标) 这个过程将在下面说明。 ??假设硅片基底厚度为800um，其实只有上表层有用10左右um厚度左右 
然后填充氧化物隔离 ??然后注入陷阱，您可以选择在两侧注入N个陷阱或P个陷阱。从而分开NMOS和PMOS。 ??做晶体管，大面积氧化，MIS，用重掺多晶硅，然后刻蚀，得到下图。 ??传统的晶体管只有一个源和泄漏。为了减少晶体管横向变小造成的电场过强问题，热电子现象非常明显。为了降低电场强度，必须减少源与泄漏的混合PN结中，耗尽层一般在轻掺杂的一侧，重掺杂的一侧不承受任何电压。换句话说，同样的电压，如果把PN当两侧电压降低时，他的峰值电场必须降低，这相当于耗尽层电场的降低。常规都是N PN ，因此，原有的混合物直接减少，但电阻大，不好，导向压降不能放在源和泄漏上，必须在沟区域有效压降，所以可以分为两个步骤，低混合，然后高混合。 下图，浅注入， ??然后在上面填一层SiN或者Si02.定向蚀刻消耗基础厚度。目的是垂直刻蚀，左右刻不仅会使栅极两侧留下边墙，而且是保护栅极的绝缘体。 ??然后重掺杂，自对准，不需要光刻，比如Nmos，就是N 格栅、泄漏和源。这样就得到了源、泄漏和格栅极。下图中的灰色部分是真正的源级和泄漏极，但由于混合较浅，有效降低了电场，可以缓解热电子效应。 ??然后做电极，引出源漏栅。 ??用硼磷硅玻璃密封，使设备钝化 ??磨平，CMP机械抛光 ??开洞，得到典型的开洞NMOS或者PMOS晶体管。