超详细的IXFK48N50介绍
特征 ·国际标准包装 ·成型环氧树脂一致La4V-0可燃性分类 ·SOT-227B miniBLOC氮化铝隔离 ·低Rac HDMOSu流程 ·额定的非约束感应开关（UIS） ·F内在整流器
应用 ·DC-DC转换器 ·同步整流 ·电池充电器 ·电源开关模式和谐振模式 ·直流斩波器 ·控制温度和照明
好处 ·易于安装 ·节省空间 ·功率密度高
规格参数 制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-264-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性： N-Channel Vds-泄漏极击穿电压： 500 V Id-连续漏极电流： 48 A Rds On-泄漏导通电阻： 100 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： 20 V 最小工作温度： - 55 C 最大工作温度： 150 C Pd-功率耗散: 500 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HyperFET 封装: Tube 高度: 26.16 mm 长度: 19.96 mm 系列: IXFK48N50 晶体管类型： 1 N-Channel 宽度: 5.13 mm 商标: IXYS 正向跨导 - 最小值: 42 S 下降时间: 30 ns 产品类型: MOSFET 型号：IXFK48N50 上升时间: 60 ns 子类别: MOSFETs 典型的关闭延迟时间： 100 ns 典型的接通延迟时间： 30 ns