《CMOS VLSI Design A Circuits and Systems Perspective》
晶体管（Transistor）是在薄硅片（silicon wafer）硅片不仅是机械支撑，也是电气公共点，被称为衬底（substrate）。从两个角度研究晶体管的物理布局。一种是俯视图，向下看晶圆（wafer）获得。另一种是横截面，从晶体管中间切开晶片，沿侧面观察。我们从一个完整的CMOS反相器（inverter）横截面开始。然后我们看同一反相器的顶视图，并定义一组掩模用于制造反相器的不同部分。晶体管和导线的尺寸由制造工艺的分辨率决定。该解决方案的不断进步促进了半导体行业的指数增长。
1 反相器横截面
1.1 结构
下图显示了反相器的截面和相应的原理图。
在这张图中，逆变器基于p型衬底（p-type substrate）上。pMOS晶体管需要n型区域，所以n陷阱（n-well）扩散到衬底附近。
nMOS晶体管有大量的n型源极（source）和漏极（drain）以及一层薄薄的二氧化硅(SiO2.多晶硅栅极，又称栅极氧化物)（gate）。
n 和p 扩散区表示大量的n型和p型硅。pMOS晶体管具有p型源极和漏极区域，结构相似。
两个晶体管的多晶硅栅极连接在一起，形成输入A。
nMOS晶体管的源金属GND线，pMOS晶体管的源金属VDD线。
两个晶体管的泄漏与金属连接，形成输出Y。
一层厚厚的二氧化硅称为场氧化物（field oxide），除非接触点明确蚀刻，否则防止金属短路到其他层。
1.2 衬底的链接
金属与轻掺杂半导体的结合形成肖特基二极管（Schottky diode），它只向一个方向传输电流。
半导体与金属形成良好的欧姆接触，为双向电流提供低电阻。
衬底必须绑定到低电位，以避免p型衬底和n nMOS源或漏之间p-n结的正偏。
同样地，n陷阱必须与高电位连接。添加大量混合衬底和陷阱 contact 或 tap ，将。