三极管参数大全

三极管参数大全

三极管参数大全 摘自网络 △ λ —光谱半宽度 △ VF—正向压降差 △ Vz—电压增量在稳压范围内 av—电压温度系数 a—温度系数 BV cer— 基极与发射极串联， CE 结击穿电压 BVcbo— 集电极与基极之间发射极开路 击穿电压 BVceo— 基极开路， CE 结击穿电压 BVces— 基极和发射极短路 CE 结击穿电压 BVebo— 集电极开路 EB 结击穿电压 Cib— 共基极输入电容 Cic—集电结势垒电容器 Cieo— 共发射极开路输入电容器 Cies— 共发射极短路输入电容器 Cie— 共发射极输入电容器 Cjo/Cjn— 结电容变化 Cjo— 零偏压结电容器 Cjv—偏压结电容 Cj—结(极间)电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗 检波二极管 的总电 容 CL—负载电容(外电路参数) Cn—中和电容(外电路参数) Cob— 共基极输出电容。集电极与基极之间的输出电容在基极电路中 Coeo— 共发射极开路输出电容 Coe— 共发射极输出电容器 Co—零偏压电容 Co—输出电容 Cp—并联电容(外电路参数) Cre— 共发射极反馈电容器 Cs—管壳电容或封装电容 CTC— 电容温度系数 CTV— 电压温度系数。 在测试电流下， 稳定电压的相对变化和环境温度的绝对变化 化之比 Ct— 总电容 Cvn— 标称电容 di/dt— 通态电流的临界上升率 dv/dt— 通态电压临界上升率D—占空比 ESB— 二次击穿能量 fmax— 最高振荡频率。当三极管功率增加等于 1 工作频率 fT— 特征频率 f—频率 h RE— 极静态电压反馈系数 hFE— 极静态电流放大系数 hfe— 短路电压放大系数 hIE— 共发射极静态输入阻抗 hie—短路输入阻抗 hOE— 极静态输出电导共同发射 hoe— 发射极小信号开路输出导出 hre—共发射极小信号 开路电压 反馈系数 IAGC— 正自动控制 电流 IB2— 单结晶体管 中基极调制电流 IBM— 在集电极允许耗散功率的范围内，可以连续通过基极的最大直流电流 值，或 交流电流 最大平均值 IB—基极直流电流或 交流电流 的平均值 Icbo— 在规定的基极接地、发射极对地开路 VCB 反向电压条件下的集电极和 基极之间的反向截止电流 Iceo— 在规定的反向电压下，发射极接地，基极对地开路 VCE 在条件下，集电极和 发射极之间的反向截止电流 Icer— 串联电阻与发射极 R，集电极与发射极之间的电压 VCE 为规定值， 集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices— 在规定的反向电压下，发射极接地，基极对地短路 VCE 在条件下，集电极和 发射极之间的反向截止电流 Icex— 在规定的反向偏压下，发射极接地，基极与发射极之间增加指定偏压 VCE 下， 集电极与发射极之间的反向截止电流 ICMP— 最大允许脉冲电流 ICM— 集电极最大允许电流或 交流电流 最大平均值。 ICM— 平均最大输出电流 Ic—集电极直流电流或交流电流的平均值 IDR— 晶闸管断态平均重复电流 ID— 暗电流 IEB10— 双基极 单结晶体管 中间发射极和第一基极之间的反向电流 IEB20— 双基极 单结晶体管 极向电流中发射 Iebo— 基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压 VEB 在条件下，发射极和 基极之间的反向截止电流IEM— 极峰电流发射 IE—发射极直流电流或交流电流的平均值 IF（ AV） —正平均电流 IF(ov)— 正过载电流 IFM（ IM） —正峰值电流(正最大电流)。 额定功率 下，允许通过二极管 最大正脉冲电流。发光二极管极限电流。 IFMP— 正脉冲电流 IFRM— 峰值电流正向重复 IFSM— 峰值电流不重复正向（ 浪涌电流 ） IF— 正直流电流(正测电流)。 检波二极管 在规定的正电压下 VF 下， 通过极间电流； 硅整流管、 硅堆在规定的使用条件下， 正弦半波允许连续 最大工作电流 （平均值） ， 额定功率下允许硅开关二极管通过的最大正 向直流电流；测量稳压二极管正电参数时给定的电流 iF—正总瞬时电流 IGD— 晶闸管控制极不触发电流 IGFM— 控制极正峰值电流 IGT— 晶闸管控制极触发电流 IH— 恒定电流，维持电流。 Ii— 发光二极管起辉电流 IL—光电流或稳流二极管极限电流 IOM— 最大正向(整流)电流。正向最大瞬时电流可在规定条件下承受；在 电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 Iop— 工作电流 Io—整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IP—峰点电流 IR（ AV） —反向平均电流 IR（ In） —反向直流电流(反向泄漏电流)。测量反向特性时，给定的反向电流； 硅堆在正弦半波电阻负载电路中， 当添加反向电压规定值时， 通过的电流； 硅开 二极管两端加反向工作电压 VR 时间通过的电流；反向电压下稳压二极管， 漏电流；正弦半波最高反向工作电压下整流管的漏电流。 IRM— 反向峰值电流 Irp—反向恢复电流 IRRM— 峰值电流反向重复 IRR— 晶闸管反向重复平均电流 IRSM— 峰值电流(反向浪涌电流)反向不重复 ir—反向恢复电流 iR—反向总瞬时电流 ISB— 二次击穿电流Is—稳流二极管电流稳定 IV—谷点电流 Izk—膝点电流稳压管 IZM— 最大稳压电流。稳压二极管允许在最大耗散功率下通过的电流 IZSM— 稳压二极管浪涌电流 Iz—稳定电压电流（反向测试电流）。在测试反向电参数时，给定的反向电流 n—电容比 PB—承受脉冲烧毁功率 PCM— 最大允许集电极耗散功率 Pc—集电极耗散功率 PC— 控制极平均功率或集电极耗散功率 Pd—耗散功率 PFT （ AV） —正向导通平均耗散功率 PFTM— 正峰值耗散功率 PFT— 正向导通瞬时耗散功率 PGM— 门极峰值功率 PG—门极平均功率 Pi— 输入功率 Pi— 输入功率 PK—最大开关功率 PMP— 脉冲功率最大泄漏 PMS— 脉冲功率最大 PM— 额定功率。硅二极管结温不高于 150 能承受的最大功率 Pn—噪声功率 Pomax— 最大输出功率 Posc— 振荡功率 Po—输出功率 Po—输出功率 PR— 反向浪涌功率 Psc— 连续输出功率 PSM— 浪涌功率不重复 Ptot— 总耗散功率 Ptot— 总耗散功率 PZM— 最大耗散功率。稳压二极管允许在给定使用条件下承受的最大功率 Q—优值(质量因素) r δ —衰减电阻 R(th)ja---- 结合环境的热阻 R(th)jc— 结壳的热阻r(th)— 瞬态电阻 rbb 分钟 Cc— 基极 -集电极时间常数，即基极扩展电阻和集电结电容量的乘积 rbb 分钟-基区扩展电阻(基区基本征电阻) RBB— 双基极晶体管的基极间电阻 RBE— 外接基极 -极间电阻(外电路参数)的发射 RB— 外基极电阻(外电路参数) Rc —外部集电极电阻(外部电路参数) RE— 射频电阻 RE— 外部发射极电阻(外部电路参数) RF（ r） —正微分电阻。电流随通时，随着电压指数的增加，电流显示明显 非线性特性。在正向电压下，电压增加了少量△ V，正向电流相应增加△ I， 则△ V/△I 称微分电阻 RG— 信号源内阻 rie—发射极接地，交流输出短路时的输入电阻 RL—负载电阻 RL—负载电阻(外电路参数) roe—在规定中，发射极接地 VCE 、 Ic 或 IE、在频率条件下测定的交流输入短路时 输出电阻 Rs(rs)---- 串联电阻 Rth— 热阻 Rth---- 热阻 Rz(ru)— 动态电阻 Ta—环境温度 Ta—环境温度 Tc—管壳温度 Tc—壳温 td—延迟时间 td----延迟时间 tfr— 正恢复时间 tf—下降时间 tf—下降时间 tgt—门极控制极开启时间 tg—关闭电路方向的时间 Tjm— 最大允许结温 Tjm— 最高结温 Tj—结温 toff— 关断时间 toff— 关断时间ton— 开通时间 ton— 开通时间 trr—反向恢复时间 tr—上升时间 tr—上升时间 tstg— 温度补偿二极管储存温度 Tstg— 贮存温度 ts—存储时间 ts—存贮时间 Ts—结温 V n— 噪声电压 V v—谷点电压 V（ BR） —击穿电压 VAGC— 正向自动增益控制电压 VB2B1— 基极间电压 VBB— 基极(DC)电源电压(外电路参数) VBE(sat)— 发射极接地，规定 Ic、 IB 条件下， 基极 -发射极饱和压降(前向压降) VBE10— 反向电压发射极和第一基极 VBE— 基极发射极(直流)电压 VB—反向峰值击穿电压 VCBO— 基极接地，发射极对地开路，集电极与基极在指定条件下的最高耐久性 压 VCB— 集电极 -基极(直流)电压 Vcc— 集电极(DC)电源电压(外电路参数) CE(sat)— 发射极接地，规定 Ic、 IB 条件下的集电极 -发射极间饱和压降 VCEO— 发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高 耐压 VCER— 发射极接地，基极与发射极间串接电阻 R，集电极与发射极间在指定条 件下的最高耐压 VCES— 发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高 耐压 VCEX— 发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在 规定条件下的最高耐压 VCE— 集电极 -发射极（直流）电压 Vc—整流输入电压 VDRM— 断态重复峰值电压 VEBO— 基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐 压VEB— 饱和压降 VEE— 发射极（直流）电源电压（外电路参数） VF（ AV） —正向平均电压 VFM— 最大正向压降（正向峰值电压） VF—正向压降（正向直流电压） VGD— 门极不触发电压 VGFM— 门极正向峰值电压 VGRM— 门极反向峰值电压 VGT— 门极触发电压 Vk—膝点电压（稳流二极管） VL —极限电压 Vn(p-p)— 输入端等效噪声电压峰值 Vn—中心电压 VOM— 最大输出平均电压 Vop— 工作电压 Vo—交流输入电压 Vp—穿通电压。 Vp—峰点电压 VRM— 反向峰值电压（最高测试电压） VRRM— 反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM— 反向工作峰值电压 VR— 反向工作电压（反向直流电压） VSB— 二次击穿电压 Vs—通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 Vth— 阀电压（门限电压） Vz—稳定电压 δ vz—稳压管电压漂移 η —单结晶体管分压比或效率 λ p—发光峰值波长