简 介： 购买JFET 2N 初步测试3819验证了其基本性能。JFET测试其基极感应交流电压的性能。由于手边商缺乏一些高电阻，相关电路在进一步测试后进行。 ： ，，
§01 2N3819
场效应晶体管 具有广泛的 应用。但在 测试来来自于 的假货。重新从 购买到的场效应管刚刚到货。测试一下它的主要性能。
下面是本次购买到的2N 3819 。
▲ 图1.1 购买到的2N3819表面丝印
对比一下，上一次购买到假货的2N3819，他们在一些细节上还是有区别。虽然他们的信号标示都是2N3819。
▲ 图1.2 上一次购买到假货的2N3819
一、基本参数
1、晶体管参数模块
利用 直接测试购买到的2N3819。
从测试结果上来看，晶体管参数测试模给出了这是一个N沟道的JFET。
▲ 图1.1.1 晶体管参数测试结果
2、万用表测量
将S-G短路，使用数字万用表电阻档测量D-S之间的电阻。D,S的电压极性不同，所测得电阻略有差异。
-
D+,S-：44.7ΩD-,S+：43.5Ω
▲ 图1.1.2 在面包板上测试DS的基本参数
3、测量DS电压电流
（1）测量方法
通过串联Rd(100Ω)用于测量漏极电流，通过改变V+电压，同时测量Id,Ud，最终绘制出在Ug=0时对应的电流-电压曲线。
▲ 图1.1.3 测量电路
（2）测量结果
-
Rd：103.5ΩV+范围：0 ~ 6V
下面是测量得到的在Vgs=0V时，Ud,Id曲线。
▲ 图1.1.4 在Vgs=0V时，Ud,Id曲线
▲ 图1.1.5 对应DATASHEET给定的参考曲线
4、测量VG与Id之间的关系
（1）测量方法
保持V+=6V情况下，改变Vgs，从0V变化到-1V，测量Id的变化。
▲ 图1.1.6 面包板上测量Vg，Id之间的关系
（2）测量结果
可以看到，在Vg 等于-0.7V左右，Id基本上降低到0mA。这与前面使用集体管测量的结果相似。
▲ 图1.1.7 不同Ugs下对应的Id变化。
vdim=[-0.00,-0.02,-0.04,-0.06,-0.08,-0.10,-0.12,-0.14,-0.16,-0.18,-0.20,-0.22,-0.24,-0.27,-0.29,-0.31,-0.33,-0.35,-0.37,-0.39,-0.41,-0.43,-0.45,-0.47,-0.49,-0.51,-0.53,-0.55,-0.57,-0.59,-0.61,-0.63,-0.65,-0.67,-0.69,-0.71,-0.73,-0.76,-0.78,-0.80,-0.82,-0.84,-0.86,-0.88,-0.90,-0.92,-0.94,-0.96,-0.98,-1.00]
idim=[11.15,10.59,9.95,9.42,8.85,8.32,7.81,7.26,6.78,6.28,5.81,5.34,4.89,4.48,4.06,3.65,3.27,2.91,2.58,2.23,1.94,1.66,1.40,1.17,0.94,0.76,0.59,0.45,0.33,0.24,0.17,0.11,0.07,0.04,0.03,0.01,0.01,0.00,-0.00,-0.00,-0.00,-0.00,-0.00,-0.00,-0.00,-0.00,-0.00,-0.00,-0.00,-0.00]
§02 测量感应电压
利用场效应管栅极的高祖抗性，可以测量物体之间50Hz感应电压。
一、测量方法
将Rd更换成100kΩ。在2N3819的栅极连接一个曲别针作为感应天线。
▲ 图2.1.1 测量电路图
▲ 图2.1.2 面包板上搭建的测试电路
二、测试效果
1、悬空下波形
电路悬空下测量Ud的电压波形如下。
▲ 图2.2.1 悬空下测量Ud的电压波形
2、手靠近引起波形变化
手靠近基极会引起电压波形的变化。
▲ 图2.2.2 手靠近天线会引起Ud的变化
三、栅极电阻
1、增加偏置栅极电阻
由此此时Ug=0V，对应的Id大约10mA，所以此时对应的Rd取200Ω。
▲ 图2.3.1 在栅极上增加偏置电阻
2、测试结果
将220V电缆靠近天线，可以看到Ud的波动幅度增加。
▲ 图2.3.2 220V电缆靠近引起Ud变化
此时，电路变得不太灵敏。主要是因为Rd变小，引起电压放大倍数降低了。
此外，由于Rg的存在，也使得在G极上感应的电压减小。
因此，为了进一步增大电路对于感应交流电压的灵敏度，需要增肌G极上的偏置电阻。另外。再引入源极电阻，使得三极管的导通电流降低，从而可以增加Rd的数值。
※ 测试总结 ※
对于购买到的JFET 2N 3819进行了初步测试，验证了它的基本性能。基于该JFET测试了它的基极感应交流电压的性能。
由于手边商缺少一些高阻值的电阻，相关的电路之后再进行进一步测测试。
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- 图1.1 购买到的2N3819表面丝印
- 图1.2 上一次购买到假货的2N3819
- 图1.1.1 晶体管参数测试结果
- 图1.1.2 在面包板上测试DS的基本参数
- 图1.1.3 测量电路
- 图1.1.4 在Vgs=0V时，Ud,Id曲线
- 图1.1.5 对应DATASHEET给定的参考曲线
- 图1.1.6 面包板上测量Vg，Id之间的关系
- 图1.1.7 不同Ugs下对应的Id变化。
- 图2.1.1 测量电路图
- 图2.1.2 面包板上搭建的测试电路
- 图2.2.1 悬空下测量Ud的电压波形
- 图2.2.2 手靠近天线会引起Ud的变化
- 图2.3.1 在栅极上增加偏置电阻
- 图2.3.2 220V电缆靠近引起Ud变化