• 与一般双极型晶体管相似的结构、工作原理和特性
• 采用集成工艺将许多这种单元并联
• 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好
• 应用中，GTR一般采用共发射极接法
• 集电极电流 i c i_{c} ic​与基极电流 i b i_{b} ib​的比值为： β = i c i b β = \frac{i_{c}}{i_{b}} β=ib​ic​​（β称为GTR电流放大系数，它反映出基极电流对集电极电流的控制能力）
• 单管电流放大系数为10左右
• 当考虑到集电极和发射极间的漏电流 I c e o I_{ceo} Iceo​时， i c i_{c} ic​和 i b i_{b} ib​的关系为： i c = β i b + I c e o i_{c} = βi_{b} + I_{ceo} ic​=βib​+Iceo​

• 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区
• 在电力电子电路中GTR工作在开关状态
• 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区

图中：

开通过程：

• t d t_{d} td​：延迟时间
• t r t_{r} tr​：上升时间
• t o n t_{on} ton​：开通时间， t o n = t d + t r t_{on} = t_{d} + t_{r} ton​=td​+tr​

关断过程：

• t s t_{s} ts​：延迟时间
• t f t_{f} tf​：上升时间
• t o f f t_{off} toff​：开通时间， t o f f = t s + t f t_{off} = t_{s} + t_{f} toff​=ts​+tf​

GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多

  主要是指集电极的击穿电压值

• GTR上电压超过规定值时会发生击穿
• 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关
• 各种不同接法时的击穿电压的关系如下： 为了保证器件工作安全，GTR的最高工作电压 U C E M U_{CEM} UCEM​应比最小击穿电压 B U C E O BU_{CEO} BUCEO​要低

• 处于深度饱和时集电极与发射极间的电压
• 在大功率应用中它是一项重要指标，因为它关系到器件导通的功率损耗
• 单个GTR的饱和压降一般不超过1~1.5V

  指只要保证结温不超过允许的最高结温，晶体管允许连续通过的直流电流值

• 最高允许结温下，不造成器件损坏的最大电流
• 超过该额定值必将导致晶体管内部结构的烧毁
• 实际使用时要留有裕量，只能用到 I C M I_{CM} ICM​的一半或稍多一点

I B M I_{BM} IBM​远小于 I C M I_{CM} ICM​，通常 1 10 I C M ≤ I B M ≤ 1 2 I C M \frac{1}{10}I_{CM} ≤ I_{BM} ≤ \frac{1}{2}I_{CM} 101​ICM​≤IBM​≤21​ICM​，而基极—发射极间的最大电压额定值通常只有几伏

  指GTR在最高允许结温时，所对应的耗散功率，其大小主要由集电结工作电压和集电极电流的乘积决定，受环境温度和散热条件影响

• 一次击穿：集电极—发射极击穿电压 B U C E O BU_{CEO} BUCEO​， I c I_{c} Ic​迅速增大 如果能及时限制电流增长，使 I c I_{c} Ic​不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变
• 二次击穿：一次击穿发生后， I c I_{c} Ic​突然急剧上升，电压陡然下降 常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变

  是指由GTR的集射极最高电压 U C E M U_{CEM} UCEM​、集电极最大电流 I C M I_{CM} ICM​、集电极最大耗散功率 P C M P_{CM} PCM​、二次击穿功率 P S B P_{SB} PSB​、限制的区域

  单管GTR的电流放大系数很小，通常为10左右

  达林顿结构的GTR是由两个或多个晶体管复合而成

  达林顿结构的GTR的电流放大倍数很大，可以达到几十至几千倍，饱和管压降增加，增大了导通损耗，同时降低了管子的工作速度

  它是将GTR管芯根据不同的用途将几个单元电路集成在同一硅片上，提高了器件的集成度、工作的可靠性、性价比，同时也实现了小型轻量化

  将6个相互绝缘的单元电路制在同一模块内，以组成三相桥电路

传送门

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