检波二极管的主要功能是检测高频信号中的低频信号。其结构为点接触型，结电容小，工作频率高。一般由锗材料制成。原则上，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小(100mA）输出电流通常小于100mA的叫检波。锗材料点接触型，工作频率可达400MHz，正压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好AP型。除检波外，还可用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。还有两个二极管组合件，具有良好的调频检波特性一致性。
原则上，从输入交流中获得输出的直流是整流。根据整流电流的大小(100mA）输出电流通常大于100mA的叫整流。因此，结电容较大，一般为3kHZ以下。最高反向电压从25伏到3000伏A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③电视高压硅堆工作频率近1000KHz的2CLG型。
二极管正向导通后，其正向压降基本保持不变(硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 大多数二极管可以用作限幅。还有一些特殊的限幅二极管，如保护仪器和高频齐纳管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制成的二极管。还有这样的部件出售：根据限制电压的需要，连接几个必要的整流二极管形成一个整体。
通常指环形调制专用二极管。它是四个二极管的组合，具有良好的正向特性和一致性。即使其他可变二极管也有调制用途，但通常直接用作调频。
使用二极管混频时，500~10000Hz肖特基型和点接触二极管主要用于频率范围内。
二极管放大大致依赖于隧道二极管和体效二极管等负阻装置的放大，以及变容二极管的参数。因此，放大二极管通常是指隧道二极管、体效二极管和变容二极管。
二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。 在小电流下(10)mA程度)在数百毫安下使用的逻辑操作和磁芯激励开关二极管。小电流开关二极管通常有点接触式和键式二极管，也有硅扩散型、台面型和平面型二极管也可能在高温下工作。开关二极管的特长是开关速度快。肖特基型二极管的开关时间很短，所以是理想的开关二极管。2AK中速开关电路采用型点接触；2CK型平面接触用于高速开关电路；用于开关、限幅、钳位或检波；肖特基（SBD）硅大电流开关，正压降低，速度快，效率高。
用于自动频率控制（AFC）和谐使用的小功率二极管称为变容二极管。日本厂商还有很多其他的名字。施加反向电压， ；使其PN静电容量发生变化。因此，用于自动频率控制、扫描振荡、调频和谐。一般来说，虽然采用硅扩散二极管，但也可以采用合金扩散、外延组合、双扩散等特殊二极管，因为这些二极管的静电容量变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，替代可变电容，用作调谐电路、振荡电路、锁相环路，常用于电视高频头的频道转换和调谐电路，主要由硅材料制成。
对于二极管的频率倍增，依靠变容二极管的频率倍增和阶跃(即急变)二极管的频率倍增。变容器二极管称为可变电抗器。虽然可变电抗器的工作原理与自动频率控制相同，但电抗器的结构可以承受大功率。阶跃二极管又称阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr因此，它的特长是快速关闭的转移时间明显短。如果阶跃二极管施加正弦波，那么，因为tt(转移时间)短，因此输出波形突然被切断，因此会产生大量的高频谐波。
该管采用二极管的反向击穿特性，电路两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用。替代稳压电子二极管的产品。制成硅扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线快速变化的二极管。用于控制电压和标准电压。二极管工作时的端电压(也称齐纳电压)从3开始V左右到150V，每10%可分为多个等级。在功率方面，也有200mW至100W上述产品。工作处于反向击穿状态，硅材料制造，动态电阻RZ很小，一般是2CW、2CW56等；将两个互补二极管反向串联，以降低温度系数DW型。 稳压二极管的温度系数α：α表示温度每变化1℃稳压值的变化。稳定电压小于4V管道具有负温度系数（属于齐纳击穿)，即当温度升高时，稳定电压值下降(温度使价格电子能量升高)；稳定电压大于7V的管子具有正温度系数（属于雪崩式击穿），即温度升高时稳定电压值上升（温度使原子振幅加大，阻碍载流子运动）；而稳定电压在4~7V温度系数很小，近似为零(齐纳击穿和雪崩击穿都有)。
这是一层晶体二极管，由本征半导体(或低浓度杂质半导体)组成，夹在P区和N区之间。PIN中的I是"本征"英语略语意义。工作频率超过1000MHz由于少数载流子的存储效应和"本征"二极管失去整流作用，变成阻抗元件，其阻抗值随偏置电压而变化。当零偏置或直流反向偏置时，"本征"区域阻抗很高；当直流正偏时，载流子注入"本征"区，而使"本征"该区域呈低阻抗状态。所以，可以把PIN二极管用作可变阻抗元件。常用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路。
它是一种可以在外部电压下产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾：利用雪崩击穿晶体注入载流子。由于载流子需要一定的时间才能穿越晶片，其电流滞后于电压，延迟时间。如果跨越时间得到适当控制，则在电流和电压关系中会产生负阻效应，从而产生高频振荡。它通常用于微波领域的振荡电路。
以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。砷化镓和锗是其基底材料。P型区N型区高掺杂(即高浓度杂质)。这些简并半导体的量子力学效应产生隧道电流。隧道效应具有以下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄(0).01微米以下)；简并半导体P型区和N型区的空穴和电子有可能在同一能级上重叠。江崎二极管是双端子有源器件。主要参数为峰谷电流比IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可用于低噪声高频放大器和高频振荡器(其工作频率可达毫米波段)或高速开关电路。
它也是一种所有权PN二极管结。其结构特点是：在PN结边界处有陡峭的杂质分布区，形成"自助电场"。由于PN在正向偏压下，用少数载流子导电PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个"存贮时间"最小值(反向饱和电流值)流值)。阶跃恢复二极管"自助电场"缩短存储时间，快速截止反向电流，产生丰富的谐波分量。梳状频谱发生电路可以通过使用这些谐波分量来设计。脉冲和高次谐波电路采用快速关闭(阶跃恢复)二极管。
它具有肖特基的特点"金属半导体结"的二极管。其正起始电压较低。金、钼、镍、钛等材料也可用于金属层。硅或砷化镓是其半导体材料，多为N型半导体。该装置由多数载流子导电，因此其反向饱和电流比少数载流子导电PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存储效果很小，其频率仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。工作频率可达1000GHz。并且，MIS肖特基二极管可用于制造太阳能电池或发光二极管。 在开关电源的电感和继电器等感性负载中，可作为续流二极管。
阻尼二极管主要用于高频电压电路，具有较高的反向工作电压和峰值电流、正压降低、高频高压整流二极管，用于电视线路扫描电路进行阻尼和升压整流。常用的阻尼二极管有2个CN1、2CN2、BSBS44等。
TVP根据峰值功率，对电路进行快速过压保护(500)W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。
张驰振荡电路采用两个基极和一个发射极的三端负阻器件，具有频率调节方便、温度稳定性好等优点。
由磷化镓和磷砷化镓制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀，使用寿命长，可发红、黄、绿、蓝单色光。随着技术的进步，近 来 发展成白光高亮二极管，形成LED照明是一个新兴产业。也用于照明。VCD、DVD、在计算器等显示器上。
硅功率开关二极管具有高速引导和截止的能力。主要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速和驱动电路中的高频整流和续流钳拉。具有恢复性软、过载能力强的优点，广泛应用于计算机、雷达电源、步进电机调速等领域。