1. 迁移率与温度和杂质浓度的关系：

• 迁移率与温度的关系
  • 低掺杂:迁移率随温度升高而降低(晶格振动散射为主)
  • 高掺杂:迁移率随温度升高而降低(低温时电离杂质散射为主，高温时晶格振动散射为主)
• 迁移率与杂质浓度的关系
  • 当温度一定时，随着杂质浓度的增加，迁移率单调降低

2. 电阻率与温度和杂质浓度的关系：

ρ = 1 n i q ( μ n μ p ) ρ = \frac{1}{n_iq(\mu_n \mu_p)} ρ=niq(μn μp)1​

• 电阻率与杂质浓度的关系
  • 轻掺杂时：电阻率与杂质浓度的成简单反比的关系（常温下杂质全部电离，迁移率随杂质浓度变化不大）
  • 重掺杂时：曲线严重偏离直线（常温下杂质不能全部电离，在简并半导体中情况更加严重，迁移率随杂质浓度增加而显著下降）
• 电阻率与温度的关系
  • 本征半导体电阻率随温度升高而单调减小
  • 杂质半导体：
    • 低温段：随温度增加而减小（本征激发可忽略，杂质电离随温度升高而增大，杂质浓度增大，电阻率减小；晶格振动散射可忽略，电离杂质散射随温度增加而增大，迁移率增大，电阻率减小）
    • 室温段：随温度增加而增大（杂质完全电离，本征激发和电离杂质散射是次要因素，晶格振动散射随温度增加使迁移率减小，电阻率增大）
    • 高温段：随温度增大而减小（杂质电离、电离杂质散射、晶格振动散射成次要因素，本征激发随温度升高而使杂质浓度增大，电阻率减小）

1. PN结的形成：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。
2. PN结构成的器件：二极管、BJT

1. 比较器与运放的区别：

• 运放工作在闭环状态，比较器工作在开环状态，运放工作于线性区，比较器工作于非线性区
• 比较器的翻转速度快，大约在 ns 数量级，而运放翻转速度一般为 us 数量级(特殊的高速运放除外)。
• 运放可以接入负反馈电路，而比较器则不能使用负反馈，虽然比较器也有同相和反相两个输入端，但因为其内部没有相位补偿电路，所以，如果接入负反馈，电路不能稳定工作。内部无相位补偿电路，这也是比较器比运放速度快很多的主要原因。
• 运放输出级一般采用推挽电路，双极性输出。而多数比较器输出级为集电极开路结构，所以需要上拉电阻，单极性输出，容易和数字电路连接。

1. 组合逻辑与时序逻辑：

如果数字电路满足任意时刻的输出仅仅取决于该时刻的输入，那么该数字电路为组合逻辑电路。相反，如果数字电路任意时刻的输出不仅取决于当前时刻的输入，而且还取决于数字电路原来的状态，那么该数字电路为时序逻辑电路。

• 输入输出关系：组合逻辑电路是任意时刻的输出仅仅取决于该时刻的输入，与电路原来的状态无关。时序逻辑电路是不仅仅取决于当前的输入信号，而且还取决于电路原来的状态，或者说，还与以前的输入有关。
• 有无存储（记忆）单元：组合逻辑电路没有存储记忆，时序逻辑电路却包含了存储记忆。
• 结构特点：组合逻辑电路只是包含了电路，但是时序逻辑电路包含了组合逻辑电路+存储电路，输出状态必须反馈到组合电路的输入端，与输入信号共同决定组合逻辑的输出。

1. 阻塞和非阻塞赋值：

阻塞赋值：在本语句中“右式计算”和“左式更新”完全完成之后，才开始执行下一条语句；

非阻塞赋值：当前语句的执行不会阻塞下一语句的执行。

过程赋值右边的表达式在赋值执行的时候算出。如果没有内部赋值延时，左边的寄存器由于阻塞性赋值将立即更新，而非阻塞性赋值则下一个仿真周期才更新左边的寄存器。如果有内部赋值延时，左边的寄存器只在发生内部赋值延时后更新。

4. 移位

逻辑移位：移出去的位丢弃，空缺位（vacant bit）用 0 填充。

算术移位：移出去的位丢弃，空缺位（vacant bit）用“符号位”来填充，所以一般用在右移运算中。

5. 总线的工作原理：
6. 中断

今日学习时长大概在八小时左右，效率有待提升。