单结晶管是近年来发展起来的一种新型电子设备。它具有重要的电气性能-负阻特性，可以大大简化自激多谐振荡器、阶梯波发生器、定时电路等脉冲产生单元电路的结构，应用广泛。
上图1为单结晶体管的特性检测电路。固定在两个基极之间的正向偏压Vbb，调整发射极的电压Ve，根据Ie与Ve单结晶管的伏安特性曲线如图2所示。 当Ve=0时，PN结反偏截止，只有微小的反向电流Ieo随着流过发射极Ve的升高，当Ve=ηVbb时Ie=0。Ve继续升高，Ie但是PN结仍未导通，因此正向漏电流也很小，P点左侧单结晶管处于截止区。
Ve继续上升，当Ve=ηVbb Vd时，PN这个转折点被称为峰点P(Vp，Ip)，相应的发射极电压称为峰值电压Vp(Vp=ηVbb Vd)，发射极电流称为峰点电流Ip。Ip它代表了单结晶管导所需的最小电流。PN结导通后，PN区注入大量空穴，使E与B空穴浓度增加，导电性增强，Rb随着1的阻值下降Ie的增加，Ve单晶体管逐渐减小，呈现出明显的负阻特性。从P到V本段为单结晶体管特性的负阻区。
随空穴的注入量达到一定程度，E与B1之间的基区由电中性变为正电性，进一步注入空穴增加阻力，相当于Rb1不再下降，而是增加，这个转折点被称为谷点V(Vv，Iv)此后，Ve将随Ie单结晶体管进入饱和区。谷点电压是维持单结晶管导通的最小发射极电压，Ve
1.单结晶管极间电阻试验
极间电阻发射极开路时Rbb基本上是常数，用万用表Rx1k或R×可测量100档，国产单结晶管Rbb值在3-10k范围内。测量发射极与两基极之间的正电阻，用万用表的电阻挡，黑表笔接发射极，红表笔分别接两基极。测量发射极和两个基极之间的反向电阻，并将万用表调整到电阻块。红色表笔连接到发射极，黑色表笔连接到两个基极。由于单晶体管的反向电流非常小，测量结果应为∞，否则证明管道质量差。
2.检测单结晶管的负阻特性
用万用表的R×1或R×100挡，黑表笔接发射极，红表笔接第一基极，这就相当于在发射极和第一基极之间加上了一个固定的1．5V的电压Ve，添加第二基极和第一基极 4．5V万用表指示电源∞，表示单结晶管性能良好。如果指针偏转，说明管道无负阻特性或分压比过低，不能正常使用。
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