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半导体器件仿真与工艺综合设计 02- | 三极管器件仿真

一、实验目的和任务

1、 掌握 BJT 基本结构原理,BJT 输出特性、输入特性;

2、 掌握 Silvaco TCAD 模拟器件的模拟设计过程 Atlas 语法规则;

3、 分析 BJT 结构参数变化对设备主要电学特性的影响。

二、实验原理

1.BJT 结构及其原理

双极晶体管从两个方向相反 PN 三端器件的结构主要有两种基本结构:PNP 型晶体管和 NPN 型晶体管。NPN 晶体管的结构如图所示 1 所示。图中,位于中间 P 基区为基区,基区薄,掺杂浓度低;位于上层 N 该区域为发射区,结面积小,掺杂浓度高;位于下层 N 该区域为集电区,结面积大;虽然发射区和集电区是同类型的半导体,但两个区域的混合浓度明显不同,发射区域的混合

浓度远高于集电区,集电区面积远大于发射区。

PNP 晶体管结构及 NPN 类似。中间层是 N 上下两层为集电区和发射区;三个区域的引出线是基极、集电极和发射极。晶体管不是两个 PN 结的简单结合是两个 PN 结共用一个极薄的 P 区(指NPN 或 N 区(指 PNP 以晶体管为基区,通过基区将两个晶体管作为基区 PN 结

有机结合成一个统一的整体。它们之间有相互关联和相互影响。晶体管与两个单独的晶体管完全不同 PN 结的特性。

2. BJT 的输出特性

共发射极输出特征曲线描述基极电流 集电极电流为一常量时 与管压降 函数关系在饱和区,发射结和集电结处于正偏。 主要随 增大而增大,对 影响不明显,即当 增大时, 但是 增大不大。饱和区,和 电流传输方程不再满足,即不能用于放大区 来描述 和 三极管失去了放大作用。在放大区域,发射结正偏置、集电结反偏置、输出特性曲线类似于水平直线,表示当 一定时, 值基本不随 而变化。此时表现出 对 控制作用, 。三极管主要在放大电路中工作。一般将 由图可知,该区域称为截止区, 也类似为零。三极管的发射结和集电结在截止区域处于反向偏置状态。

3. BJT 的输入特性

三、实验内容

1.设计目标参数:

尺寸:N 型衬底(2um×1um);

结构:集电区(2um×1um ,gauss 分布,峰值 1e18,峰值在 1um 处);

基区(集电结结深 0.15um,gauss 分布,峰值浓度 1e18,峰值在 0.05um

处);

发射区(发射结结深 0.05 um,gauss 分布,峰值浓度 5e19,峰值在 0um

处)。

2.设备结构图按设计目标绘制;

3.学习 Atlas 模拟语法规则,设计设备;

(1) 语句 1 模拟器调用命令语句 go。

调用 atlas 需要使用设备仿真器 go 语句:

go atlas

(2) 网格(spanmesh),建立了一个含有网格信息的 2 微米×1 微米大小的区

域。

mesh

x.m l=0 spacing=0.15

x.m l=0.8 spacing=0.15

x.m l=1.0 spacing=0.03

x.m l=1.5 spacing=0.12

x.m l=2.0 spacing=0.15

y.m l=0.0 spacing=0.006

y.m l=0.04 spacing=0.006

y.m l=0.06 spacing=0.005

y.m l=0.15 spacing=0.02

y.m l=0.30 spacing=0.02

y.m l=1.0 spacing=0.12

(3) 区域定义语句 (region),定义材料的位置。

region num=1 silicon

(4) 电极定义语句(electrode),定义三极管的接触电极。

electrode num=1 name=emitter left length=0.8

electrode num=2 name=base right length=0.5 y.max=0

electrode num=3 name=collector bottom

(5) 掺杂定义语句(Doping),是用来定义器件结构中的掺杂分布。

doping reg=1 uniform n.type conc=5e15

doping reg=1 gauss n.type conc=1e18 peak=1.0 char=0.2

doping reg=1 gauss p.type conc=1e18 peak=0.05 junct=0.15

doping reg=1 gauss n.type conc=5e19 peak=0.0 junct=0.05 x.right=0.8

(6) 输出结构结果保存语句(save)。

save outf=bjtex04_0.str

(7) 输出文件绘制语句(tonyplot)。tonyplot bjtex04_0.str

4.根据 Atlas 器件仿真语法规则获取器件特性

(1) 模型选择语句(models,impact)。

models conmob fldmob consrh auger print

(2) 接触设置语句(contact)。

contact name=emitter n.poly surf.rec

(3) 命令执行语句(solve),solve是命令atlas在一个或多个偏压点(bias point)

进行求解的语句。

solve init

(4)数值方法选择语句(method),用来设置求解方程或参数的数值方法

method newton autonr trap 。

(5)运行数据结果保存语句(log) ,输出结构结果保存语句 log 是用来将程

序运行后所计算的所有结果数据保存到一个以 log为扩展名结尾的文件中的

一个语句。从 solve 语句中运算后所得到的结果都会保存在其中。

log outf= bjtex04_0.log

(6)solve 语句,以一定的方式给 BJT 外加偏压。

solve vcollector=0.025

solve vcollector=0.1

solve vcollector=0.25 vstep=0.25 vfinal=2 name=collector

solve vbase=0.025

solve vbase=0.1

solve vbase=0.2

solve vbase=0.3 vstep=0.05 vfinal=1 name=base

(7)输出文件绘制语句(tonyplot)。

tonyplot bjtex04_0.log

(8)参数提取语句(extract),根据 log 文件获得器件电学参数。

extract name="peak collector current" max(curve(abs(v."base"),abs(i."collecto

r")))

extract name="peak gain" max(i."collector"/ i."base")

5.改变器件结构参数(BJT 各区掺杂浓度﹑BJT 各区杂质分布﹑BJT 各区杂质类

型等),分析结构参数变化对器件结构及电学参数影响。

四、实验结果

(一)器件设计

1、器件结构设计

如图所示,定义npn晶体管的网络信息x为2.0,y为1.0,该区域块掺杂n型材料浓度为5e15,设置为均匀分布;n型材料浓度为1e18,设置为高斯分布,峰值为1.0;p型材料浓度为1e18,设置为高斯分布,峰值为0.05,结深为0.15;n型材料浓度为5e19,设置为高斯分布,峰值为0,结深为0.05,在x的右边区域0.8处;p型材料浓度为5e19,设置为高斯分布,峰值为0,在x的左边区域0.8处,从而形成了该结构,包括N+区域,P+区域,P区域,N-区域,N区域

2、网格调用及设计

#调用atlas器件仿真器

go atlas

#网络mesh初始化

Mesh

#定义x方向网格信息

x.m l=0 spacing=0.15

x.m l=0.8 spacing=0.15

x.m l=1.0 spacing=0.03

x.m l=1.5 spacing=0.12

x.m l=2.0 spacing=0.15

#定义y方向网格信息

y.m l=0.0 spacing=0.006

y.m l=0.04 spacing=0.006

y.m l=0.06 spacing=0.005

y.m l=0.15 spacing=0.02

y.m l=0.30 spacing=0.02

y.m l=1.0 spacing=0.12

#定义区域信息

region num=1 silicon

#定义电极信息

electrode num=1 name=emitter left length=0.8

electrode num=2 name=base right length=0.5 y.max=0

electrode num=3 name=collector bottom

#该区域块掺杂n型材料浓度为5e15,设置为均匀分布

doping reg=1 uniform n.type conc=5e15

# n型材料浓度为1e18,设置为高斯分布,峰值为1.0

doping reg=1 gauss n.type conc=1e18 peak=1.0 char=0.2

# p型材料浓度为1e18,设置为高斯分布,峰值为0.05,结深为0.15

doping reg=1 gauss p.type conc=1e18 peak=0.05 junct=0.15

# n型材料浓度为5e19,设置为高斯分布,峰值为0,结深为0.05,在x的右边区域0.8处

doping reg=1 gauss n.type conc=5e19 peak=0.0 junct=0.05 x.right=0.8

# p型材料浓度为5e19,设置为高斯分布,峰值为0,在x的左边区域0.8处

doping reg=1 gauss p.type conc=5e19 peak=0.0 char=0.08 x.left=1.5

#set bipolar models

#设置BJT仿真所需要用到的物理模型

models conmob fldmob consrh auger print

#设置接触类型

contact name=emitter n.poly surf.rec

#求解初始化

solve init

#保存结构信息文件

save outf=bjtex04_0.str

#用tonyplot绘图示意结构文件

tonyplot bjtex04_0.str -set bjtex04_0.set

(二)对比分析

 

 

标签: 硅npn晶体管silicon

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