GPU(Graphics Processing Unit)图形处理器 硬核(HPS)/软核处理器 SOPC(System On Programmable Chip)可编程的片上系统 SoC(System on Chip)
SoC它是一个集成电路，将计算机或其他电子系统集成到单个芯片中。系统芯片可以处理数字信号、模拟信号、混合信号甚至更高频率的信号。系统芯片通常用于嵌入式系统。系统芯片集成规模大，一般达数百万到数千万。 SoC里CPU和控制器都放在芯片里，运行速度很快。现在的外设可以称为内部外设，即芯片内部的外设 SoC内部控制器由半导体制造商自己添加，而不是ARM公司自己添加的，ARM公司提供SoC的CPU（内核）
GUI(Graphical User Interface) 图形用户界面 EDA(Electronic design automation)自动化电子设计
使用计算机辅助设计（CAD）完成超大规模集成电路的软件（VLSI）芯片的功能设计、综合、验证、物理设计（包括布局、布线、布局、设计规则检查等）。
FPGA(Field Programmable Gate Array)现场可编程逻辑门阵列 ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 专用集成电路 ASSP(Application Specific Standard Parts) 专用标准产品 PAL(Programmable Array Logic)可编程阵列逻辑 GAL(Generic Array Logic)通用阵列逻辑 PLD(Programmable Logic Device)可编程逻辑器件 关于PAL\GAL\PLD的区别:
可编程逻辑器件PLDASIC作为一种通用设备生产的半定制电路，制造商可以通过设备编程实现所需的功能。可编程逻辑阵列PLA,与20世纪70年代中期出现，它是由可编程的与阵列和可编程的或阵列组成。可编程阵列逻辑PAL1977年美国MMI由于输出结构种类繁多，设计灵活，公司率先推出。通用阵列逻辑器件GAL器件是1985年LATTICE可电擦除、可编程除、可编程、可设置加密位PLD。有代表性的GAL芯片有GAL16V8、GAL20，这两种GAL几乎所有类型的模拟都可以模拟PAL器件。在实际应用中，GAL器件对PAL设备仿真具有100%的兼容性，因此GAL几乎可以全代替PAL大部分设备都可以替代，SSI、MSI因此，数字集成电路得到了广泛的应用。 GAL和PAL最大的区别在于GAL用户可以定义输出结构，这是一种可编程的输出结构。GAL两种基本型号GAL16V8（20引脚）GAL20V8(24引脚)可替代十种树PAL因此，该设备被称为痛用可编程电路。PAL输出由制造商定义，芯片固定，用户无法更改。
CPLD(Complex Programmable Logic Device)复杂的可编程逻辑器件 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)专用集成电路 ASSP(Application Specific Standard Parts)专用标准产品是为特殊应用而设计的集成电路 RAM(Random Access Memory)存储器(易失性)易失性) SDRAM(synchronous dynamic random-access memory)同步动态随机存取内存 SPRAM(Single port RAM)存储器随机存储在单个端口 DPRAM(Dual port RAM)双端口随机存储存储器 ROM(Read only memory)只读存储器 PROM(Programmable ROM)可编程只读取存储器 EPROM(Erasable Programmable ROM)可擦可编程只读存储器 EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)带电可擦性编程只读存储器 DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)动态随机存储器(内存条)双倍速率同步 PCI(Peripheral Component Interconnect)外设部件互连标准
PCI它是目前个人电脑中使用最广泛的接口，几乎所有的主板产品都有这个插槽。PCI在目前流行的台式机主板上，插槽也是主板数量最多的插槽类型，ATX结构的主板一般带有5～6个PCI插槽，小一点MATX主板也有2~3个PCI插槽，可见其广泛应用。
PCIE(PCI-Express)
PCIe原名为3GIO英特尔于2001年提出，旨在取代旧的PCI，PCI-X和AGP总线标准。
FIFO( First Input First Output)先进先出 PLL(Phase Locked Loop)锁相环 MUX(multiplexer)数据选择器 乘积项(product term)指与或阵列 IP核(Intellectual Property core)
具有特定电路功能的硬件描述语言程序与集成电路工艺无关，可移植到不同的半导体工艺中生产集成电路芯片
ISP(In system programmable)可编程系统 Antifuse technology反熔丝技术
反熔丝技术（antifuse technology）与熔丝技术相比（fuse technology）而言的。众所周知，熔丝技术广泛应用于各种领域PLD中，例如PAL，当PAL原来的短接点在编程器中被烧录后断开。反熔丝技术恰相反，原来断接的点在烧录之后，短接上了，这种短接是永久性的。Actel他们称之为公司PLICE反熔丝技术。PLICE反熔丝点上部有多晶硅层，下部有多晶硅层N 扩散层，两层之间ONO（Oxide－Nitride－Oxide）的绝缘层。反熔丝连接点在未编程状态下阻抗超过100mΩ，断开状态；编程后，阻抗典型值为500Ω。CROSSPOINT与Ｑuicklogic反熔丝技术及Actel类似地，它们在两层金属或一层金属和一层多晶硅之间有一层无定形硅，大约11层V～20V反熔丝点加电压后，断接点短接，阻抗为50Ω～100Ω之间。反熔丝技术的特点决定了反熔丝单元小、芯片面积小、工作频率高、加密位置、反复制、抗辐射、抗干扰，无需外接PROM或EPROM，适用于航天、军事、工业等领域。反熔丝技术的缺点也很明显。它只能编程一次，需要特殊的编程器，潜在影响系统的开发成本。
LUT(Look-up Table)搜索表，即实现真值表定义的功能的电路 粗/细粒(粗/细粒):
细粒度FPGA逻辑功能块一般较小，仅由几个小晶体管组成，与半定制门阵列的基本单元非常相似。其优点是功能块的资源可以充分利用。缺点是完成复杂的逻辑功能需要大量的连接和开关，因此速度较慢；粗粒度FPGA逻辑块规模大，功能强，完成复杂逻辑只需要较少的功能块和内部连接，从而获得较好的性能，缺点是功能块的资源有时不能充分利用。
FLOPS(Floating point operations for second)浮点性能(每秒浮点操作次数) 摩尔定律：当价格保持不变时，集成电路上可容纳的部件数量将每18-24个月翻一番，性能将翻一番。 FinFET(Fin Field-Effect Transistor)鳍式场效应晶体管/三栅极晶体管
在传统的晶体管结构中，控制电流通过的闸门只能控制闸门一侧电路的连接和断开，属于平面结构。FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构可控制电路两侧的连接和断开。 这种设计可以大大改善电路控制，减少漏电流（leakage），晶体管的栅长也可以大大缩短。
SERDES(SERializer/DESerializer)串行器/解串器
SERDES多路复用是主流时期的一种(TDM)、点对点(P2P)串行通信技术。也就是说，多路低速并行信号转换为高速串行信号，通过传输媒体（光缆或铜线），最终在接收端高速串行信号转换为低速并行信号。这种点对点串行通信技术充分利用传输媒体的道容量，减少所需的传输信道和设备引脚数量，提高信号传输速度，大大降低通信成本。
DUT(Design Under Test) DFF(D flip-flop) D触发器