N沟道增强型MOSFET,为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、工作电压、导电阻和开关特性，构成所谓的结构和工艺VMOS、DMOS、TMOS等结构
MOSFET有钟类型：P沟通增强型，P沟通耗尽，N沟通增强型，N沟道耗尽型
场效应晶体管是电压控制元件，件，而双极结型晶体管是一种电流控制元件。场效应管只允许从较少的电流中选择，而双极晶体管则允许从信号源中获得较低的电流。
双栅极MOSFET
双栅极（dual-gate）MOSFET通常用于射频（Radio Frequency,RF）这种集成电路MOSFET两个栅极都可以控制电流。 在射频电路的应用中，双栅极MOSFET大多数第二个栅用于增益、混频器或 控制频率转换。
耗尽型MOSFET
一般来说，耗尽型（depletion mode）MOSFET与上述增强型相比（enhancement mode）MOSFET罕见。耗尽型MOSFET这种杂质浓度在制造过程中改变了混合到通道的杂质浓度MOSFET即使没有电压，通道仍然存在。若要关闭通道，则必须在栅极施加负电压。 耗尽型MOSFET最大的应用是常闭型（normally-off）相对而言，加强开关MOSFET用于常开（normally-on）的开关上。
NMOS逻辑
驱动能力相同NMOS通常比PMOS所占面积小，如果只用于逻辑门的设计NMOS也可以缩小 芯片面积NMOS虽然逻辑占据的面积很小，但它不能像CMOS逻辑不消耗静态功率，所以在