晶体管或场效应FET由电场控制的晶体管输出电流。FET由于涉及单载波型操作，有时被称为单极晶体管。FET晶体管的基本类型及BJT 晶体管基础完全不同。FET是三端子半导体器件，具有源极，漏极和栅极端子。
电荷载流子是通过有源沟从源极流到漏极的电子或空穴。从源极到漏极的电子流由施加在栅极和源极端子上的电压控制。
FET晶体管的类型
FET有两种类型–JFET或MOSFET。
结FET晶体管是一种场效晶体管，可用作电气控制开关。电能流过源极与漏极端子之间的有源通道。通过向栅极端子施加反向偏差压力。
结FET晶体管有两种极性：
N-沟道JFET
N沟道JFET它由n型棒组成，两侧有两个p型层。电子通道构成设备的N通道。两个欧姆接触在N通道设备的两端形成，它们连接在一起形成一个栅极端子。
源极和漏极端子取自棒的另一侧。源极和漏极端子之间的电位差称为Vdd，源极和栅极端子之间的电位差称为Vgs。由于电子从源极到漏极的流动，电荷流动。
在漏极和源极端子上施加正电压时，电子从源极S流到漏极D传统的漏极电流端子Id流过漏极到源极。当电流流过设备时，它处于导通状态。
当负极电压施加到格栅极端时，在通道中产生耗尽区域。通道宽度降低，增加了源极和泄漏极之间的通道电阻。由于格栅极端结反向偏置，设备中没有电流流动，因此关闭。
因此，基本上，如果在栅极端子处施加的电压增加，少量的电流将从源极流向泄漏极。
N沟道JFET比P沟JFET导电性更大。因此，与P沟JFET相比，N沟道JFET是更有效的导体。
P沟道JFET
trzvp2106P沟道JFET由P型棒构成，在其两侧掺杂n型层。通过在两侧连接欧姆接触来形成栅极端子。与N沟道JFET同样，源极和漏极端子取自棒的另一侧。在源极和漏极端子之间形成由电荷载流子组成的空穴AP型沟道。
施加到泄漏极和源极端子的负电压，以确保从源极到泄漏极端子的电流流动，并在欧姆区域操作设备。施加到格栅极端子的正电压确保了降低沟宽度，从而增加了沟电阻。更正的是格栅极电压； 流过设备的电流越少。
MOSFET晶体管
MOSFET顾名思义，p型晶体管（n型)半导体棒(有两个重掺n型区域扩散到其中)，表面沉积有金属氧化物层，从该层中取出孔，形成源极和漏极端子。将金属层沉积在氧化物层上，形成栅极端子。场效晶体管的基本应用之一是使用MOS晶体管作为开关。
这种类型的FET晶体管有三个端子，即源极、泄漏极和栅极。应用于栅极端子的电压控制从源极到泄漏极的电流流。金属氧化物绝缘层的存在导致设备具有高输入阻抗。
基于工作模式MOSFET晶体管类型
MOSFET晶体管是最常用的场效应晶体管类型。MOSFET工作以两种模式实现，基于哪种模式MOSFET晶体管分类。在增强模式下MOSFET工作包括逐渐形成沟通和耗尽MOSFET它由已扩散的沟渠组成。MOSFET高级应用是CMOS。
增强型MOSFET晶体管
施加负电压时MOSFET当正电荷的载流子或空穴在氧化物层附近积累更多。从源极到泄漏极端形成沟。
随着电压变为负，通道宽度增加，电流从源极流向泄漏端子。因此，随着施加的栅极电压电流的增强MOSFET。
耗尽型MOSFET晶体管
耗尽型MOSFET由在漏极 - 源极端子之间扩散的通道组成。在没有任何栅极电压的情况下，电流从源极流向泄漏极。
当网极电压为负时，正电荷在沟道中积累。
这导致通道中的耗尽区或不动电荷区，阻碍电流流动。因此，当耗尽区的形成影响电流时，该设备称为耗尽型MOSFET。
涉及MOSFET作为开关的应用
控制BLDC电机的速度
MOSFET可作为开关操作DC用晶体管触发电机。MOSFET。微控制器PWM用于连接或断开晶体管的信号。
微控制器引脚的逻辑低电平信号OPTO耦合器在输出端工作，产生高逻辑信号。PNP因此，晶体管截止MOSFET触发并连接。漏极和源极端子短路，电流流向电机绕组，使其开始旋转。PWM确保电机的速度控制。
驱动系列LED:
作为开关的MOSFET操作涉及应用控制LED阵列的强度。在这里，由外源(如微控制器)信号驱动的晶体管用于驱动MOSFET。晶体管关闭时，MOSFET为了获得并连接电源，为了LED阵列提供适当的偏置。
使用MOSFET开关灯：
MOSFET控制灯的开关可用作开关。MOSFET晶体管开关也用于触发。外源(如微控制器)PWM因此，信号用于控制晶体管的导通MOSFET打开或断开，以控制灯的开关。