PE42553B-Z 射频开关是 HaRP 各种开关应用设计的技术设备，包括无线基础设施、宽带和无线连接。 该设备提供广泛的开关 IC 产品组合的频率范围为 0Hz 至 60GHz，温度范围为 -55°C 至 125°C。 板载这些装置 CMOS 控制逻辑和低压 CMOS 通常不需要外部组件集成兼容控制接口。 Peregrine 的 HaRP 技术增强提供了高线性和优异的谐波性能。 UltraCMOS 该工艺的创新特性提供了优于 GaAs 性能和传统 CMOS 经济与集成。
电路：SPDT 频率范围：9kHz ~ 8GHz 隔离：45dB 插损：0.85dB 测试频率：3GHz IIP3：66dBm 阻抗：50 欧姆 电压 - 供电：2.3V ~ 5.5V 工作温度：-40°C ~ 85°C 器件封装：16-QFN（3x3）
特征 产品组合广泛，频率范围广 0Hz 至 60GHz，温度范围为 -55°C 至 125°C HaRP 高性能应用的理想选择是和插入损耗漂移，是高性能应用的理想选择 单片集成射频、模拟和数字功能 CMOS 解决方案 行业领先的射频性能，一流 ESD 额定值和可靠性
应用 无线基础设施 宽带 无线连接 测试和测量
DN3525 低阈值耗尽型(常开)晶体管采用先进的垂直 DMOS 硅栅极制造工艺的结构和的制造工艺。 该组合产生的设备具有双极晶体管的功率处理能力 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。 所有 MOS 该装置没有热失控和热引起的二次击穿。
特征 ? 高输入阻抗 ? 低输入电容 ? 开关速度快 ? 低导通电阻 ? 无二次故障 ? 低输入和输出泄漏
应用 常开开关 固态继电器 转换器 恒流源 电源电路 电信交换机
漏源电压（Vdss）：250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：360mA（Tj） 驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On）：0V 不同 Id、Vgs 时导电阻(最大值):6 欧姆 @ 200mA，0V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):350 pF @ 25 V FET 功能：耗尽模式 功耗(最大值).6W（Ta） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面安装类型 器件封装：TO-243AA（SOT-89）
全新 PE42553B-Z 射频开关 ，DN3525N8-G MOS管N-CH 250V
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