摘自：http://royroyyy.blog.163.com/blog/static/137650617201102610471196/
符号库中有源器件的名称（NAME）通常以字母或数字命名，后根长度不超过8个字符，如Q2N2222表示已知NPN型BJT。以其模型号为源器件名称的74系列数字集成电路芯片。
其模型中描述了有源设备的参数。PSPICE根据设备类型（DEVICE-TYPE）为了建立模型，这些类型如表（1）所示，相同类型的设备有相同的模型结构，但具体参数值不同。Q2N2222和Q2N3904均属NPN型BJT。
| 表(1)各组件关键词 |
|||
| 序号 |
类型名称 |
描述关键词 |
元器件类型 |
| 1 |
RES |
R |
|
| 2 |
CAP |
C |
|
| 3 |
IND |
L |
|
| 4 |
D |
D |
二极管 |
| 5 |
NPN |
Q |
NPN BJT三极管 |
| 6 |
PNP |
Q |
PNP BJT三极管 |
| 7 |
LPNP |
Q |
横向PNP BJT三极管 |
| 8 |
NJF |
J |
N沟道JFET |
| 9 |
PJF |
J |
P沟道JFET |
| 10 |
NMOS |
M |
N沟道MOSFET |
| 11 |
PMOS |
M |
P沟道MOSFET |
| 12 |
GASFET |
B |
GaAsFET |
| 13 |
CORE |
K |
|
| 14 |
VSWITCH |
S |
电压控制开关 |
| 15 |
ISWITCH |
W |
电流控制开关 |
| 16 |
DINPUT |
N |
数字输入器件 |
| 17 |
DOUTPUT |
O |
数字输出器件 |
| 18 |
UIO |
U |
数字输入输出模型 |
| 19 |
UGATE |
U |
标准门 |
| 20 |
UTGATE |
U |
三态门 |
| 21 |
UEFF |
U |
边沿触发器 |
| 22 |
UGFF |
U |
门触发器 |
| 23 |
UWDTH |
U |
脉宽较验器 |
| 24 |
USUHD |
U |
复位和保持较验器 |
| 25 |
UDLY |
U |
数字延迟线 |
在模型库中，有源器件的模型名称（MODELNAME）与符号库中器件名称的命名方法类似。符号库（扩展名为slb的磁盘文件）与模型库（扩展名为lib的磁盘文件）是通过模型名称建立联系的。例如，Q2N2222、Q2N2222-X。
电路仿真的精度主要由元器件所选用的模型和模型参数来决定。PSPICE中选用了较精确的模型，其模型参数也很多，在多数情况下，可以忽略其中的许多参数。PSPICE在分析时使用这些参数的缺省值（DefaultValue计算机自动给出的值，也称为默认值）。表（二）给出了几种常用器件的模型参数。
| 表（二）几种器件常用的模型参数 |
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| 元件模型 |
参数名 |
定 义 |
缺省值 |
单位 |
| D |
IS RS N CJO VJ BV IBV |
饱和电流 寄生串联电阻 发射系数 零偏PN结电容 结电势 反向击穿电压 反向击穿电流 |
1E-14 0 1 0 1 ∞ 1E-10 |
A Ω
F V V A |
| BJT |
BF NF VAF BR NR VAR CJE CJC RB RE RC VJE |
正向电流放大系数 正向电流发射系数 正向Early电压 反向电流放大系数 反向电流发射系数 反向Early电压 b-e结零偏电压电容 b-c结零偏电压电容 零偏压基极电阻 发射极电阻 集电极电阻 b-e结内建电势 |
100 1 ∞ 1 1 ∞ 0 0 0 0 0 0.75 |
Ｖ
Ｖ Ｆ Ｆ Ω Ω Ω Ｖ |
| MOSFET |
VTO KP CBD CBS TOX CGDO CGSO CGBO |
零偏阈压值电压 跨导系数 零偏压漏极-衬底结电容 零偏压源极-衬底结电容 氧化层厚度 单位宽度的栅源覆盖电容 单位宽度的栅漏覆盖电容 单位长度的栅-衬底覆盖电容 |
0 0.02 0 0 1E-7 0 0 0 |
V mA/V2 F F m F/m F/m F/m |
| JEFT |
VTO BETA LAMBDA RD RS CGS CGD |
夹断电压 跨导系数 沟道长度调制系数 漏极电阻 源极电阻 零偏压栅源电容 零偏压栅漏电容 |
-2 0.1 0 0 0 0 0 |
V mA/V2 V-1 Ω Ω Ｆ Ｆ |
| GaAs MESFET |
VTO BETA IS |
夹断电压 跨导系数 栅PN结饱和电流 |
-2.5 0.1 1E-14 |
V A/V2 A |
（三）信号源及电源
在电路描述中，信号源和电源是不可少的。实际上电源可以看作是一种特殊的信号源。在PSPICE中，信号源被分为两类：独立源和受控源。表（三）给出了几种独立源。在类型名前加V表示电压源，加I表示电流源。受控源共分四类，如表（四）所示，它们可用来描述等效电路。
信号源的参数可在其属性中定义。例如，脉冲源的初始电压U1、脉冲电压U2、延迟时间TD、上升时间TR、下降时间TF、脉冲宽度PW、周期PER等，均可在其属性窗中赋值。
| 表（三）几种主要的独立源 |
||
| 类型名 |
电源及信号源类型 |
应用场合 |
| DC |
固定直流源 |
直流电源，直流特性分析 |
| AC |
固定交流源 |
正弦稳态频率响应 |
| SIN |
正弦信号源 |
瞬态分析、正弦稳态频率响应 |
| PULSE |
脉冲源 |
瞬态分析 |
| PWL |
分段线性源 |
瞬态分析 |
| SRC |
简单源 |
可当作AC、DC或瞬态源 |
| 表（四）几种主要的受控源 |
|
| 元器件描述关键词 |
受控源类型 |
| E |
电压控制电压源 |
| F |
电流控制电流源 |
| G |
电压控制电流源 |
| H |
电流控制电压源 |
表（六）列出了PSPICE教学版提供的一些主要的模拟器件。
| 表（六）PSPICE 中的主要元器件 |
|||
| 名称 |
类型 |
名称 |
类型 |
| DIN750 |
J2N3819 |
N沟道JFET |
|
| MV2201 |
压变电容二极管 |
J2N4393 |
N沟道JFET |
| D1N4002 |
功率二极管 |
IXGH40N60 |
N沟道IGBT |
| D1N4148 |
开关二极管 |
LM324 |
线性运算放大器 |
| MBD101 |
开关二极管 |
LF411 |
JFET输入极线性运算放大器 |
| Q2N2222 |
NPN型BJT |
uA741 |
线性运算放大器 |
| Q2N2907A |
PNP型BJT |
LM111 |
线性运算放大器 |
| Q2N3904 |
NPN型BJT |
IRF150 |
N型功率MOSFET |
| Q2N3906 |
PNP型BJT |
IRF9140 |
P型功率MOSFET |