MOS管和IGBT管道可作为开关元件使用，其形状和特性参数相似，那么它们有什么区别呢？
MOS管是MOSFET管称金属氧化物半导体场效应晶体管，可简称「场效应管」，MOS管道主要分为两种类型：结型场效应管（JFET）以及绝缘栅场效应管（MOS管）。
由于场效应管的栅极被绝缘层隔离，又称绝缘栅场效应管。
MOSFET可分为四类：N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型。
有的MOSFET内部会有二极管，即体二极管，或寄生二极管、续流二极管。
1、MOSFET寄生二极管的作用是预防VDD过压时烧坏MOS管。
2、防止MOS管道的源极和漏极反接时烧坏MOS当电路有反向感生电压时，管道也可以为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。
MOSFET可用作电路中的放大器、电子开关等，具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特点。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极晶体管，由晶体三极管和MOS复合半导体器件由管道组成。
IGBT管道具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、电流大等特点，广泛应用于各种电子电路中。
IGBT管内的二极管不是寄生的，而是为了保护IGBT特别设置的脆弱反向耐压，又称FWD(续流二极管)。
IGBT管道适用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT是通过在MOSFET由漏极上加层组成。
相似的功率容量IGBT和MOSFET，IGBT速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT因为有关断拖尾时间，IGBT拖尾时间长，死区时间长，影响开关频率。
选择电路AOS的MOS管还是选择IGBT从系统的电压、电流、切换功率等因素来看，管道作为电源开关管，是工程师经常遇到的问题，可以总结出以下几点：
总的来说，MOSFET管道的优点是高频特性好，工作频率可达数百kHz、上MHz，但其缺点是高压大电流场合导通电阻大，功耗大；IGBT在低频、高功率场合表现良好，导电阻小，耐压性高。
MOSFET管道用于开关电源、高频感应加热、高频逆变焊机、镇流器、通信电源等高频电源；IGBT管则集中应用于焊机、电镀电解电源、逆变器、变频器、超音频感应加热等领域。
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