三极管，全称为半导体三极管，也称为双极晶体管，晶体三极管，是一种控制电流的半导体设备。其功能是将微弱信号放大为大范围值的电信号，也用作无触点开关。 三极管是半导体的基本部件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心部件。三极管是在一个半导体基板上制作两个非常接近的PN结，两个PN结将整个半导体分为三部分，中间为基区，两侧为发射区和集电区。PNP和NPN两种。 三极管 [1] (也称晶体管)在中文意义上只是三个引脚放大器件的总称。我们常说的三极管可能是 如图所示。 可见，虽然都叫三极管，但英语中的说法却大不相同。三极管这个词其实是中文特有的象形词。 电子三极管 Triode 这是英汉字典中三极管一词唯一的英文翻译，这与电子三极管最早的出现有关，所以先入为主，也是真正意义上三极管一词最初指的对象。其他在中文中被称为三极管的东西在实际翻译时绝对不能翻译成Triode是的，否则会很麻烦。严格来说，英语里没有三脚管这样的词！ 电子三极管 Triode (俗称电子管) 双极晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）金属氧化物半导体效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）注：这三者看起来都是场效应管，事实上，金属氧化物半导体效应晶体管 、V槽沟场效应管 是 单极（Unipolar）结构，和 双极（Bipolar）它是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）J型场效应管是非绝缘场效应管，MOS FET 和VMOS绝缘型场效应管VMOS是在 MOS在改进大电流、高放大倍数(跨道)新型功率晶体管的基础上，区别在于使用V型槽MOS管道的放大系数和工作电流显著增加，但也显著增加MOS输入电容，是的MOS大功率改进型管道产品，但结构已经与传统相结合MOS差异很大。VMOS没有增强型MOS独特的耗尽型MOS管 SI5853DDC-T1-E3规格信息 FET 类型：P 沟道 技术：MOSFET(金属氧化物) 漏源电压（Vdss）：20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V不同 Id，Vgs 时的 Rds On(最大值):105 毫欧 @ 2.9A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）(最大值):1V @ 250?A不同 Vgs 当时的栅极电荷 （Qg）(最大值):12nC @ 8VVgs(最大值):±8V不同 Vds 输入电容（Ciss）(最大值):320pF @ 10VFET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散(最大值):1.3W（Ta），3.1W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装供应商设备封装：1206-8 ChipFET包装/外壳：8-SMD，扁平引线 技术: Si 商标名: TrenchFET 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 系列: SI54 商标: Vishay / Siliconix 产品类型: MOSFET 工厂包装数量： 3000 子类别: MOSFETs 零件号别名： SI5853DDC-E3 单位重量: 85 mg