资讯详情

22个防止开关电源EMI的设计技巧

转载---电子爱好者网2018-12-31 09:00

开关电源作为开关状态下的能量转换装置,电压和电流变化率高,干扰强度大;干扰源主要集中在散热器和连接到电源开关的高平变压器,比数字电路干扰源位置清晰;开关频率低(从数十千赫和数兆赫兹),主要干扰形式是传导干扰和近场干扰;印刷电路板(PCB)走线通常采用手工布线,具有更大的随意性,这增加了PCB提取分布参数和估计近场干扰的难度。

可以通过增加X电容来解决差模干扰。

差模共模混合采用输入端和一系列X电容器过滤差触干扰,分析哪种干扰超标并解决。

以共触干扰为主,采用抑制共触的方法。

对于外壳接地,在地线上用磁环绕2圈10圈MHz上述干扰衰减较大。

增加对地Y电容,将铜皮包裹在变压器外,改变PCBLAYOUT、输出线前连接一个双线并绕的小磁环,在输出整流管两端至少绕10圈RC滤波器

普遍是MOS由于管道高速开关断裂,可以增加MOS驱动电阻,RCD1.缓冲电路N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管解决。

一般由输出整流管反向恢复电流引起,可串在整流管上。

大部分出于PFCMOSFET及PFC二极管,现在MOSFET及PFC二极管串磁珠有效,水平方向基本可以解决问题,但垂直方向很无奈。

开关电源的辐射一般只影响100MHz以下的频段。也可以在MOS在二极管上加入相应的吸收回路,但效率会降低。

1.噪声电路节点PCB最大限度地减少铜箔面积,如开关管漏极、集电极、初级绕组节点等。

2.使输入和输出端远离噪音元件,如变压器线包、变压器磁芯、开关管的散热片等。

3.使噪声元件(如未覆盖的变压器线包、未覆盖的变压器芯、开关管等)远离壳体边缘,因为壳体边缘在正常运行下可能靠近外部接地线。

4.如果变压器不使用电场屏蔽,保持屏蔽体和散热器远离变压器。

5.尽量减少以下电流环的面积:二次(输出)整流器、初级开关功率装置、栅极(基极)驱动线、辅助整流器等。

6.不要将门极(基极)的驱动反馈环与初级开关电路或辅助整流电路混合。

7.调整和优化阻尼电阻值,使其在开关死区时间内不会产生铃声。

8.防止EMI滤波电感饱和。

9.使转弯节点和二次电路的元件远离初级电路的屏蔽或开关管的散热器。

10.远离屏蔽或散热器,节点和元件本体远离屏蔽或散热器。

11.高频输入EMI滤波器靠近输入电缆或连接器端。

12.保持高频输出EMI滤波器靠近输出电线端子。

13.使EMI滤波器对面PCB板的铜箔与元件本体保持一定距离。

14.在辅助线圈的整流器线路上放置一些电阻。

15.阻尼电阻并联在磁棒线圈上。

16.在输出RF阻尼电阻并联于滤波器两端。

17.在PCB设计时允许放1nF/500V陶瓷电容器也可以是一串电阻,跨接在变压器的主静端和辅助绕组之间。

18.保持EMI远离功率变压器的滤波器,尤其是绕组端部。

19.在PCB如果面积足够,可以在PCB上下放屏蔽绕组的脚位和放置RC阻尼器的位置,RC屏蔽绕组两端可跨接阻尼器。

20.如果空间允许,在开关功率场效应管的漏极和门极之间放置一个小径向导线电容器(米勒电容器,10皮法/1kV电容器)。

21.如果空间允许,放一个小的RC直流输出端阻尼器。

22.不要把AC插座靠近初级开关管的散热器。

标签: emi滤波器后加大电容二极管影响emi

锐单商城拥有海量元器件数据手册IC替代型号,打造 电子元器件IC百科大全!

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台