MOS管道因其导通内阻低、开关速度快而被广泛应用于开关电源中。用好一个MOS管道，其驱动电路的设计至关重要。以下是几种常用的驱动电路。
电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，要注意几个参数和这些参数的影响。
①查看电源IC由于芯片不同，手册的最大驱动峰值电流往往是不同的。
②了解MOS如图所示C1、C寄生电容越小越好。C1、C2.MOS如果电源IC如果没有较大的驱动峰值电流，则管道导通速度较慢，无法达到预期效果。
当电源IC当驱动能力不足时，可以使用推拉驱动。
这种驱动电路的优点是提高电流提供能力，快速完成栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需的时间，但减少了关闭时间，开关管可以快速打开，避免上升边缘的高频振荡。
MOS管道通常是慢开快关。在关闭时，驱动电路可以提供尽可能低阻抗的通道MOSFET格栅源极间电容电压快速泄漏，确保开关管能快速关闭。相关建议：MOS管驱动电路设计细节。
为了快速释放栅极间电容电压，驱动电阻通常并联一个电阻和一个二极管，如上图所示D快速恢复二极管是常用的。这减少了关闭时间和损失。Rg2.关闭时防止电流过大，并使用电源IC给烧掉。
如上图所示，这是我以前使用的电路，量产至少数万台，推荐使用。
用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q当1的发射极没有电阻时PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，最短时间内完成电荷，最大限度地减少关闭时的交叉损耗。
另一个优点是，当电流不通过电源时，电源极间电容上的电荷泄漏IC，可靠性提高。
满足高端MOS变压器常用于管道驱动。R1目的是抑制PCB寄生在板上的电感和C1形成LC振荡，C1的目的是通过交流隔离直流，防止磁芯饱和。