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文章目录
- 一、简介
- 二、常见的nmos和pmos原理与差异
-
- NMOS
- PMOS
- 三、MOS管应用分析
-
- 1.导通特性
- 2.MOS开关管损失
- 3.MOS管驱动
- 四、MOS应用电路设计
-
- 下面先了解MOS请参见下图:
- NMOS管
- PMOS管
- 五、常见的MOS管型号
一、简介
MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
二、常见的nmos和pmos原理与差异
NMOS
NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思是N型金属-氧化物-半导体,我们称之为具有这种结构的晶体管NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由NMOS组成的电路是NMOS集成电路,由PMOS管组成的电路是PMOS集成电路,由NMOS和PMOS由两种管道组成的互补性MOS电路,即CMOS电路。
PMOS
PMOS指n型衬底,p通道,通过空穴流动输送电流MOS管。
NMOS和PMOS工作原理 P沟道MOS因此,晶体管的空穴迁移率较低MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般较高,需要较高的工作电压。其电源的电压大小和极性与双极晶体管-晶体管的逻辑电路不兼容。PMOS由于逻辑摆幅大,充放电过程长,设备跨导小,工作速度低NMOS电路(见N沟金属-氧化物-半导体集成电路)出现后,大部分已经出现了NMOS更换电路。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,部分中小型数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
三、MOS管应用分析
1.导通特性
NMOS的特性,Vgs如果大于一定值,则导通,适用于源极接地(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性,Vgs如果小于一定值,就会导通,适合源极接VCC情况(高端驱动)。然而,尽管如此PMOS它可以很容易地用作高端驱动,但由于导通电阻大、价格昂贵、替代品种少,通常用于高端驱动NMOS。
2.MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS,导通后有导通电阻,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量称为导通损耗。选择导通电阻小的MOS管道会减少导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,也有几毫欧。
MOS导通和截止时间一定不能在瞬间完成。MOS两端电压下降,流过的电流上升,MOS管道损失是电压和电流的乘积,称为开关损失。通常,开关损失远大于导通损失,开关频率越高,损失越大。
瞬时电压和电流的乘积很大,造成了很大的损失。缩短开关时间可以减少每次导通时的损失;减少开关频率,减少单位时间内的开关次数。这两种方法都可以减少开关损失。
3.MOS管驱动
与双极性晶体管相比,一般认为使用MOS只要管道不需要电流,只要GS当电压高于一定值时,就可以了。这样做很容易,但我们仍然需要速度。
在MOS在管的结构中可以看到,GS,GD寄生电容器之间存在,MOS管道的驱动实际上是对电容器的充放电。电容器的充电需要一个电流,因为电容器可以在瞬间被视为短路,因此瞬间电流将相对较大。选择/设计MOS管道驱动时首先要注意的是瞬时短路电流的大小。
二是高端驱动一般用于高端驱动NMOS,栅极电压大于源极电压。而高端驱动MOS管道导通时源极电压和漏极电压(VCC)因此,此时栅极电压相同VCC大4V或10V。如果在同一个系统中,要得到比较VCC大电压需要一个特殊的升压电路。许多电机驱动器集成了电荷泵,应注意选择合适的外部电容,以获得足够的短路电流驱动MOS管。
四、MOS应用电路设计
在实际项目中,我们基本上使用增强型,分为N沟和P沟。
我们常用的是NMOS,由于其导电阻小,易于制造。MOS从管道原理图可以看出,泄漏极和源极之间有一个寄生二极管。这被称为体二极管,它在驱动感性负载(如电机)时非常重要。顺便说一句,体二极管只是单个的MOS集成电路芯片中,通常不存在于集成电路芯片中,需要具体查看数据手册。
了解MOS您会发现管道的开启/关闭原理是使用PMOS做上管、NMOS下管更方便使用。PMOS做下管、NMOS上管的电路设计复杂,一般意义不大,很少使用。
下面先了解MOS请参见下图:
NMOS主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为510V(G电位高于S电位);PMOS主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5-10V(S电位高于G电位),导通压差为6V为例。
NMOS管
使用NMOS当下管,SG极电压固定值只需直接接地(为固定值)V可导通;若使用NMOS当上管,D极接正电源,但S极电压不固定,无法确定控制NMOS由于S极对地S极对地电压有两种状态,MOS管道截止时为低电平,导通时接近高电平VCC。当然NMOS也可以当上管,但控制电路复杂。在这种情况下,必须使用隔离电源控制和一个PMOS一般来说,管道可以解决的事情不会这样做,这显著增加了电路的难度。
PMOS管
使用PMOS当上管,S极直接接电VCC,S极电压固定,只需G极电压低于SV可导通,使用方便;同样,如果使用PMOS当下管,D极接地,S极压不固定(0V或VCC),无法确定控制极G极的电压,使用麻烦,需要隔离电压设计。
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五、常见的MOS管型号
A2700 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:9A
导通电阻:7.3mΩ
SI4336 N型管(贴片)
电流:22A
导通电阻:4.2mΩ
SI4404 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:17A
导通电阻:8mΩ
SI4410 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:10A
导通电阻:14mΩ
SI4420 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:10A
导通电阻:10mΩ
SI4812 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:7.3A
导通电阻:28mΩ
SI9410 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:6.9A
导通电阻:50mΩ
IRF7313 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:6A
导通电阻:29mΩ
IRF7413 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:12A
导通电阻:18mΩ
IRF7477 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:11A
导通电阻:20mΩ
IRF7805Z N型管(贴片)
耐压:30V
电流:16A
导通电阻:6.8mΩ
IRF7811 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:11A
导通电阻:12mΩ
IRF7831 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:16A
导通电阻:0.004Ω
IRF7832 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:20A
导通电阻:4mΩ
IRF8113 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:17A
导通电阻:5.6mΩ
TPC8003 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:12A
导通电阻:6mΩ
FDS6688 N型管(贴片)
耐压:30V
电流:16A
导通电阻:0.006Ω
FDD6688 TO-252贴片
耐压:30V
电流:84A
导通电阻:5mΩ
A2716 P型管(贴片)
耐压:30V
电流:7A
导通电阻:11.3mΩ
SI4405 P型管(贴片)
耐压:30V
电流:17A
导通电阻:7.5mΩ
SI4425 P型管(贴片)
耐压:30V
电流:9A
导通电阻:19mΩ
SI4435 P型管(贴片)
耐压:30V
电流:8A
导通电阻:20mΩ
SI4463 P型管(贴片)
耐压:20V
电流:12.3A
导通电阻:16mΩ
SI9435 P型管(贴片)
耐压:30V
电流:5.3A
导通电阻:50mΩ
IRF7424 P型管(贴片)
耐压:30V
电流:8.8A
导通电阻:22mΩ
STM4439A P型管(贴片)
耐压:30V
电流:14A
导通电阻:18mΩ
FDS6679 P型管(贴片)
耐压:30V
电流:13A
导通电阻:9mΩ
BUZ111S N型管(直插)
耐压:55V
电流:80A
导通电阻:8mΩ
5N05 N型管(直插)
耐压:50V
电流:75A
导通电阻:0.0095Ω
6N60 N型管(直插)
耐压:600V
电流:5.5A
导通电阻:0.75Ω
50N03L N型管(直插)
耐压:25V
电流:28A
导通电阻:21mΩ
60N06 N型管(直插)
耐压:60V
电流:60A
导通电阻:14mΩ
BTS110 N型管(直插)
耐压:100V
电流:10A
导通电阻:200mΩ
BTS120 N型管(直插)
耐压:100V
电流:19A
导通电阻:100mΩ
IRF15 0 N型管(铁壳非直插)
耐压:100V
电流:40A
导通电阻:55mΩ
IRF1405 N型管(直插)
耐压:55V
电流:131A
导通电阻:5.3mΩ
IRF2804 N型管(直插)
耐压:40V
电流:75A
导通电阻:2mΩ
IRF3205 N型管(直插)
耐压:55V
电流:110A
导通电阻:8mΩ
IRF3703 N型管(直插)
耐压:30V
电流:210A
导通电阻:2.3mΩ
IRL3803 N型管(直插)
耐压:30V
电流:140A
导通电阻:6mΩ ———————————————— 版权声明:本文为CSDN博主「电子飓风eStorm」的原创文章,遵循CC 4.0 BY-SA版权协议,转载请附上原文出处链接及本声明。 原文链接:https://blog.csdn.net/chengoes/article/details/105745281