在使用MOSFET开关电源设计或使用MCU驱动MOS大多数人会考虑管时。MOSFET导电阻，最大电压，最大电流。但很多时候，这些因素可能只考虑在内，这样的电路可以正常工作，但不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。确定一个MOSFET，其驱动电路、驱动脚输出的峰值电流、上升速率等都会影响MOSFET开关性能。
当IC与MOS选择管道后，选择合适的驱动电路连接IC与MOS管道尤为重要。 一个好的MOSFET驱动电路有以下要求：
开关管开启时，驱动电路应提供足够大的充电电流MOSFET格栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管快速开启，无上升沿高频振荡。
开关导通期间的驱动电路MOSFET格栅源极间电压保持稳定可靠。
关闭瞬时驱动电路可以提供尽可能低阻抗的通道MOSFET格栅源极间电容电压的快速泄漏，确保开关管能够快速关闭。
驱动电路结构简单可靠，损耗小。
根据情况进行隔离。
下面介绍几种常用的MOSFET驱动电路。 ***1、IC直接驱动MOSFET***如下图1 
IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，也是最简单的驱动方式。使用这种驱动方式，我们应该注意几个参数和这些参数的影响。首先，检查电源IC手册，由于芯片不同，驱动能力往往不同，驱动峰值电流最大。第二，了解一下MOSFET如图1所示C1、C2的值。如果C1、C2.MOS如果电源IC如果没有较大的驱动峰值电流，则管道导通速度相对较慢。如果驱动能力不足，上升边缘可能会发生高频振荡，即使是图片 1中Rg减少，也解决不了问题！IC驱动能力、MOS寄生电容大小，MOS管道开关速度等因素影响驱动电阻值的选择，因此Rg不能无限减少。 如果选择MOS管寄生电容大，电源大IC当内部驱动能力不足时，需要提高驱动电路上的驱动能力，并经常使用图腾柱电路来增加电源IC其电路如下图所示 虚线框所示。 这种驱动电路作用在于，提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。 下图3加速MOS关断 关闭瞬时驱动电路可以提供尽可能低阻抗的通道MOSFET格栅源极间电容电压快速泄漏，保证开关管快速关闭。为了快速释放栅极间电容电压，驱动电阻通常并联一个电阻和一个二极管，如图3所示，其中D快恢复二极管是常用的。这减少了关闭时间和损失。Rg2.关闭时防止电流过大，把手IC烧掉脚位。 下图4改进型加速MOS关断 图中我的图腾柱电路也能加速关闭。当IC当驱动能力足够时，对图 2中电路改进可以加速MOS管关闭时间如图所示 4所示电路。网源极间电容电压常用三极管排放。如果Q当1的发射极没有电阻时PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。与图3的拓扑相比，另一个优点是，当电流不通过格栅源极间电容上的电荷时，电流不会通过IC引脚，提高了可靠性。 下 图5隔离驱动 如图所示 5所示高端MOS变压器常用于管道驱动，有时用于安全隔离。R1目的是抑制PCB寄生在板上的电感和C1形成LC振荡，C1的目的是通过交流隔离直流，防止磁芯饱和。