氮化镓(GaN)它是一种宽禁带隙的半导体材料，是继硅之后半导体行业最受欢迎的材料。这背后的动力趋势是led，最近的电力电子微波。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用氮化镓的一些独特性。氮化镓具有与硅相同的电子迁移率，但具有三倍大的间隙，成为高功率应用和高温候选人操作的绝佳选择。能形成薄型algan /GaN异质结构图，二维电子气体现象导致高电子迁移率晶体管。氮化镓研究的另一个有趣方向是基于GaN的微机械cal设备或GaN微机电系统(MEMS)。
为装置(如谐振器和滤波器)、传感器(如温度和气体传感器)，充分释放氮化镓的潜力，实现新的先进全氮化镓集成电路。
介绍
最近几年，GaN已成为其中之一 最受欢迎的半导体材料之一是。与任何其他不断增长的行业一样，材料科学和设备技术的根本突破一直是由于制造和加工的快速改进。
氮化镓的机电性能
在生长过程中测量地应力
氮化镓的力学性能