本文将向您介绍氮化镓产品的性能优势、产品和包装。
提高效率不仅是行业的关键挑战，也是创新的驱动力。社会需求的压力和相关法律法规都要求提高电源转换和控制的效率。电源转换效率和功率密度是赢得市场的关键。主要例子包括汽车电气化趋势、高压通信和工业基础设施。氮化镓场效应晶体管能够以较低的系统成本，实现更小、更快、散热性能更优、更轻便的系统。
云需要大量的电力来保持连接、处理和存储能量。因此，需要非常高效的高端电力供应，以减少工业自动化和数据中心电信基础设施的功率损失。这也是硅氮化镓场效应晶体管的关键优点，可以提高功率密度和电源转换效率。
任何现代汽车排放 CO2都很重要，所以车辆电气化是大势所趋。从混合动力到纯电动汽车，动力系统电气化有望引领未来 20 年功率半导体市场增长。在这一领域，硅基氮化镓场效应晶体管的高功率密度和高效率优势将发挥主导作用，特别是车载充电器（EV 充电）、DC/DC 转换器和电机驱动牵引逆变器（xEV 牵引逆变器)。
GaN FET 该技术带来了更高效、更低成本的系统。更好的热性能和更简单的开关拓扑为电动汽车带来了更长的电池寿命。GaN 即将取代硅基 IGBT 和 SiC，牵引逆变器是插电式混合动力汽车或全电池电动汽车的首选。
因此，我们与著名的汽车工程咨询公司合作 Ricardo 基于我们的研究和验证，建立合作伙伴关系 GaN 电动汽车牵引逆变器的技术。
? AC/DC 图腾柱无桥 PFC 硬开关应用
?LLC 和移相全桥软开关应用(谐振或固定频率)
? 所有 DC/AC 逆变器拓扑
? 使用双向开关 AC/AC 矩阵转换器
功率氮化镓场效应晶体管极低 Qrr开关转换非常快，可以减少开关损耗，达到最高效率。包括半桥电路的方案，无论是 AC/DC、DC/DC 还是多相 DC/AC 氮化镓场效应晶体管的应用可以使逆变器受益。
在硬开关应用中，功率氮化镓场效应晶体管明显优于所有其他功率设备。使用图腾柱拓扑时，不仅提高了性能，而且降低了性能 50% 设备数量。较少的设备数量可以降低系统成本，提高功率密度，提高整个系统的可靠性。它提高了整个系统的效率，并有助于降低昂贵的冷却系统和封闭环境中的相关操作成本。
Nexperia目前，氮化镓场效应晶体管产品和新产品的发展规划主要针对汽车和物联网基础设施的应用，提供合适的高可靠性产品。基于成熟可靠的大规模生产技术，我们的氮化镓技术是行业领先的功率氮化镓场效应晶体管技术。
? 栅极驱动简单，低 RDS(on)，快速开关
? 优秀的体二极管(低Vf），低反向恢复电荷Qrr
? 高耐久性
? 低动态RDS(on)
? 开关性能稳定
? 栅极驱动抗干扰性强（Vth~4V）
作为铜夹片封装技术的发明者，Nexperia(安世半导体) 20 高品质、高鲁棒性SMD整合封装生产经验 GaN FET系列产品。CCPAK 采用经验丰富的包装技术，真正创新的包装提供了行业领先的性能。无焊线设计优化了热性能和电气性能；可采用现有的级联结构 MOSFET 易于控制的驱动器。
?寄生电感低于行业标准 3 倍，实现了更低的开关损耗和更好 EMI 性能
?可靠性高于焊线方案
?灵活引脚，高低温循环变化可靠性高
?灵活的鸥翼引脚，实现稳定的板级可靠性
?兼容 SMD 焊接和 AOI
?机架安装的钛金级高效率通信电源
?5G 以及数据中心的电源
?工业车辆充电桩
?太阳能（PV）逆变器
?交流伺服电机驱动器/变频器
?低 Rth(j-mb)典型值（<0.5 K/W）散热效果极佳
?最高Tj为175℃
?底部散热（CCPAK1212）
?顶部散热（CCPAK1212i）
?AEC-Q101
?MSL1
?无卤
?车载充电器
?DC/DC 转换器
?牵引逆变器
为提高设计灵活性，进一步提高散热能力，CCPAK 提供顶部散热和传统的底部散热设计。 SMD 包装产品的第一推两款是 CCPAK1212 和 CCPAK1212i，采用 12 x 12 mm 管脚尺寸紧凑，只有 2.5 mm 包装高度。
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