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笔试——紫光展锐

1、systemverilog 哪一个表示等待至少一个过程完成,然后执行后续语句?

A、fork…join…any B、fork…join…none C、fork…join…one D、fork…join

知识拓展: 在这里插入图片描述

2、Linux在常用命令中,以下哪个用于修改文件所属的组?

A、chown B、cat C、chmod D、chgrp

解析: cat是concat enate的简写,cat连接文件或标准输入并打印命令; chmod=change mode,改变读写模式 chown=change owner,修改文件所属用户 chgrp=change group

3、verilog HDL当中信号没有定义数据类型时,为什么缺少数据类型?

A、z B、wire C、tri D、reg

解析: verilog默认自动定义输入输出信号类型wire型; wire类型,默认为高阻值z; 补充,systemverilog中,logic多个结构不能驱动,只能使用多个驱动wire。

4.在超大规模集成电路设计中,采取以下措施进行高速设计

A、并行化设计 B、串行化设计 C、流水线设计 D、资源共享

解析: [AC]高速设计要求并行化和流水线设计,牺牲集成电路面积和功耗。

5.在验证中,以下关于代码覆盖率的描述是错误的

A、代码覆盖率包括语句覆盖率 B、代码覆盖率包括条件覆盖率 C、代码覆盖率包括功能覆盖率 D、代码的盖率达到100%Bug已消除

解析:

6.数字电路的验证维度是什么?

A、完备性 B、满足性能 C、复用性 D、高效性

解析: [ABCD] ic验证能力的五个维度: 完整性、代码性能、再利用性、高效、高产出.

7.以下哪些方法可以减少亚稳态问题的影响?

A、提高系统时种频率 B、提高时钟质量 C、反应更快FF D、架构上降低data toggle rate

解析: [BCD] 改善亚稳态的方法 1.降低系统时钟 2.反应更快FF 2.引入同步机制,防止亚稳态传播 3.提高时钟质量,使用边缘快速变化的时钟信号 关键是器件使用比较好的工艺和时钟周期的裕量要大。

8、AMBA包括总线协议AXI。AHB______ ASB. (请用大写字母拼写所有答案)

解析: AMBA规范主要包括以下三种:

  • AHB(advanced high performance Bus即AMB高性能总线):用于高性能、高速局吞吐率部件,如CPU、DMA、DSP连接;
  • ASB(Advanced System Bus 即AMBA系统总线):用作处理器与外设之间的连接,将被使用AHB取代。
  • APB(Advanced Peripheral Bus,AMBA外设总线):为系统低速外设提供简单的低功耗互联。

9.大端模式是指存储在数据中的高字节_低字节存储地址_地址(填写:高"或者"低)

解析: 我们常用的X86结构是小端模式,KEIL C51是大端模式。ARM, DSP都是小端模式ARM硬件还可以选择处理器是大端模式还是小端模式。

存储数据的主要区别在于存储的字节顺序,。大端数据存储符合人类的正常思维,小端数据存储有利于计算机处理。到目前为止,使用大端或小端存储数据还没有最终结论。

10、在L inux在系统中,根据文件名找到文件位置的命令是

find -name xxx

解析:

11、在一个CPU在系统中。如果有两个模块。UART和TIMER可以向CPU由中断(电平)发送CPU如何完全验证控制中断全验证中断?

1.建立验证环境env:包括channel. generater. driver. mopnitor和scoreboard .通过SV中断信号由随机配置函数产生driver驱动.再由channel传 入CPU中.通过monitor监测信号.再由scoreboard, 2.功能点测试功能点:①UART或者TIMER中断单-触发。CPU不清除。QUART或者TIMER同时,中断触发 , CPU不清除。⑧UART或者TIMER未被触发 。 CPU清除中断。 3.收集爱盖率:收集功能要盖率,代码要盖率.尽量添加更多的测试用例.提高要盖率。

12、请列出SRAM与DSRAM的不同之处?

RAM 随机存储器:存储单元的内容可以根据需要随意取出或存储,存储单元的存储速度与存储单元的位置无关。内容主要用于存储短时间程序。

SRAM 表示静态随机存储存储器:所以只要供电,它就会保持一个值。一般来说,SRAM 比DRAM 因为 SRAM 周期没有刷新 SRAM 存储单元由 6 由晶体管组成DRAM 存储单元由晶体管电容器组成。成本更高

DRAM 表示动态随机存取存储器:这是一种以电荷形式存储的半导体存储器。DRAM每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据存储在电容器中。由于泄漏,电容器会导致电荷丢失 DRAM 设备不稳定。在存储器中保存数据,DRAM 设备必须定期刷新。

SDRAM 同步动态随机存储器:意思是理论上可以达到和 CPU 同步。

DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM):简称 DDR,也就是双倍速率 SDRAM“的意思。DDR 可以说是 SDRAM 升级版,DDR 数据在时钟信号的上升和下降沿传输一次,这使得 DDR 传统的数据传输速度是 SDRAM 的两倍。

ROM 指只读存储器,即 Read-Only Memory。通过掩模工艺,这是最简单的半导体电路, 一次性制造,代码和数据将永久保存(除非坏了),无法修改。

==PROM 指可编程只读存储器==既 Programmable Red-Only Memory。这种产品只允许写一次,所以也叫一次只读存储器(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。PROM 出厂时,存储的内容都是 1.用户可以根据需要将某些单元写入数据中 0(部分的 PROM 出厂时数据全部为 0.用户可以将部分单元写入,以实现编程的目的。

EPROM指可擦写可编程只读存储器,即Erasable Programmable Read-Only Memory。它的特点是具有可擦除功能,擦除后即可进行再编程,但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。

EEPROM 指的是“电可擦除可编程只读存储器”,即 Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。它的最大优点是可直接用电信号擦除,也可用电信号写入。EEPROM 不能取代 RAM 的原因是其工艺复杂,耗费的门电路过多,且重编程时间比较长,同时其有效重编程次数也比较低。

Flash memory 指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于 EEPROM 的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格), 而 EEPROM 则可以一次只擦除一个字节(Byte)。

13、请列出一般系统中的Memory hierarchy,并解释系统中为何需要将存储器分层?

现代计算机系统的存储系统是分层的,主要有六个层次:

(1)CPU寄存器

(2)On-chip L1 Cache (一般由static RAM组成,size较小,例如16KB)

(3)Off-chip L2 Cache (一般由static RAM组成,size相对大些,例如2MB)

(4)Main memory(一般是由Dynamic RAM组成,几百MB到几个GB)

(5)本地磁盘(磁介质,几百GB到若干TB)

(6)Remote disk(网络存储、分布式文件系统)

而决定这个分层结构的因素主要是:容量(capacity),价格(cost)和访问速度(access time)。位于金字塔顶端的CPU寄存器访问速度最快(一个clock就可以完成访问)、容量最小。金字塔底部的存储介质访问速度最慢,但是容量可以非常的大。

标签: asb集成电路icmb3773集成电路

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