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2.半导体物理基础
本征半导体
2.本征激发
3.复合
4.NP型半导体和P型半导体
5.半导体电流由漂移电流和扩散电流组成。
2.2PN结
PN结的击穿特性
PN结电容
晶体二极管-toc" style="margin-left:0px;">2.3晶体二极管
1.二极管的结构和分类
二极管分类
2.二极管的伏安特性
三、二极管电阻
4.二极管的近似伏安特性和简化电路模型
稳压二极管-toc" style="margin-left:40px;">5.稳压二极管
晶体管-toc" style="margin-left:0px;">2.双极晶体管
1.晶体管结构
2.放大晶体管的电流
3.晶体管的伏安特性
2.5场效应管
1.结型场效应管（JFET）
2.绝缘栅场效应管(MOSFET)
2.6晶体管和场效应管的低频交流信号简化模型
1.晶体管低频交流小信号模型
2.场效应管的低频交流小信号模型
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2.半导体物理基础
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本征半导体
- 纯单晶半导体。
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2.本征激发
- 本征半导体部分价格电子吸收外部能量，脱离共价键，舒适成为自由电子留下的空穴。
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3.复合
- 自由电子填充空穴释放能量，消失一对载流子。
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4.NP型半导体和P型半导体
- 在本征半导体中加入五价元素的原子形成N型半导体。
- 将三价元素混合在本征半导体中的原子形成P型半导体。
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5.半导体电流由漂移电流和扩散电流组成。
- 漂移电流：在电场的作用下，自由电子向电场方向漂移，空穴沿电场方向漂移。
- 扩散电流：由于浓度差，载流子从高浓度区扩散到低浓度区。
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2.2PN结
- 正偏置：使P区电位高于N区电位。缩小耗尽区
- 导向偏置，阻断反向偏置。
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PN结的击穿特性
- 轻掺杂：雪崩击穿。
- 重掺杂：齐纳击穿
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PN结电容
- 势垒电容、扩散电容
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2.3晶体二极管
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1.二极管的结构与分类
- 半导体二极管是由一个PN结加上管壳封装与相应的电极引线组成，P区引出的电极为阳极，N侧为阴极
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二极管的分类
- 按材料不同，二极管可分为硅管和锗管；
- 按用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管等；
- 按结构不同，可分为点接触型、面接触型和平面型。
- 点接触：适用于高频电路和小功率整流或开关元件
- 面接触：适用于低频整流
- 平面行：适用于脉冲数字电路做开关管
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2.二极管的伏安特性
- 伏安特性方程
- Is为反向饱和电流，UT≈26mV
- U(on)：硅管≈0.6~0.7V,锗管=0.2~0.3V
- 对温度敏感：温度升高，正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。
- 伏安特性方程
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3.二极管的电阻
- 直流电阻：直流电压➗直流电流
- 交流电阻：
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4.二极管的近似伏安特性和简化电路模型
- （a）理想二极管（b）交流电阻为0（c）一般二极管
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5.稳压二极管
- 稳压二极管在击穿状态下工作。
- 工作电流Iz可以在较大范围内调节而稳压电压Uz几乎不变
- 最大功率Pm:超过此功率稳压管烧坏
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2.4双极型晶体管
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1.晶体管的结构
- 是由两个PN结组成的元器件，分为PNP和NPN两种类型，它的三端分别称为发射极e、基极b和集电极c。
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2.晶体管的电流放大作用
- α为共基极交流电流放大倍数，β为共发射极交流放大倍数
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3.晶体管的伏安特性
- 输出特性：（NPN）
- 截止区：发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置
- 放大区：发射结正向偏置且集电结反向偏置
- 饱和区：发射结与集电结均为正向偏置
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2.5场效应管
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1.结型场效应管（JFET）
- 漏极D、栅极G、源极S
- 输出特性曲线（N沟道）:栅-源极电压为常量时，漏极电流与漏-源电压之间的函数关系。
- 恒流区：|u(GS)|＜|UGS(off)|，|u(DG)|>|UGS(off)|
- 可变电阻区：|u(GS)|＜|UGS(off)|，|u(DG)|<|UGS(off)|
- 截止区：|u(GS)|>|UGS(off)|
- 转移特性曲线：漏-源电压为常量时，漏极电流与栅-源电压之间的函数关系。 IDSS为UGS=0时产生预夹断时的ID，称为饱和漏极电流
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2.绝缘栅场效应管(MOSFET)
- 输出特性曲线（增强型）
- 恒流区：|u(GS)|>|UGS(th)(开启电压)|，|u(DG)|<|UGS(th)|
- 可变电阻区：|u(GS)|>|UGS(th)|，|u(DG)|>|UGS(th)|
- 截止区：|u(GS)|<|UGS(th)|
- 转移特性曲线
- 低频跨导：
- 输出特性曲线（增强型）
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2.6晶体管和场效应管的低频交流小信号简化模型
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1.晶体管的低频交流小信号模型
UA为厄尔利电压，还需考虑rbb‘
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2.场效应管的低频交流小信号模型
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