pn结
半导体：硅0.6-0.7 锗0.2-0.3 金属氧化物 金属硫化物
本征半导体有晶体结构
本征激发：在非绝对0度下，电子挣脱共价键成为自由电子，产生载流子
多子对温度不敏感，少子非常敏感。如果半导体的特性与多子相关，则不会受到温度的影响
空间电荷区-耗尽层-PN结-阻挡层
单向导通，增加限流电阻，防止被击穿
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雪崩击穿：低掺杂浓度，pn结宽，反向电压足够大，相当于粒子加速器，少子会不断撞击共价键，脱离束缚产生电子-空穴对，电流增大，pn变成导体，被击穿
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温度越高，晶格振动越剧烈，粒子加速距离越短。因为很容易遇到晶格，所以所需的电压越大，有足够的能量冲击共价键
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齐纳击穿：高掺杂浓度，pn缩小，加一点电压，价格电子脱离共价键，电流增大，击穿
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温度越高，价格电子运动越剧烈，越容易突破共价键的束缚，所需电压越低
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pn结的电容效应：
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势垒电容，反偏电压
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扩散电容、不平衡少子与电压之间的关系
二极管
伏安特性和pn结的不同：
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体电阻存在，相同电压电流小
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反向电流较大，表面有漏电流
温度的影响：T上升、向左移动、粒子活性增加、本征刺激增强、同电压下电流增加、反向下移动、温度增加、反向电流增加
在室温下，温度升高1℃，正电压下降2-2.5mv，升高10℃，反向电流增加10倍
特性参数：
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If 最大整流电流，最大电流值
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Ur 最大反压
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Ir 反向电流
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fm 最高工作频率，如果超过这个频率，二极管内部形成大的结电容，电流将不再通过PN二极管通过电容器失去了单向导电性
二极管等效电路
导通时，U0=u1 uon 截止时 Uo=Us
二极管微变等效
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分析直流找出Id
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rd=Ut/Id，对于交流信号，二极管 相当于电阻
阿尔法，温度系数，温度每升高一度，Uz的变化比例
小于6V，齐纳击穿多，反之，雪崩多，小于4V，负温度系数大于7V，正温度系数
双极晶体管
1.发射区掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度低但面积大，基区很薄
内部载流子运动
1.发射结正偏：发射区自由电子扩散到基区，
2.基区:扩散、复合、产生
3.收集自由电子
放射电路 放大系数 β=Ic/Ib Iceo 穿透电流 Icbo 反向电流
放大区：发射结正偏，集电结反偏，ic和ib成比例
截止区：双结反偏，CE断路
饱和区：双结正偏，Uces 饱和电压，CE开关闭合
场效应管
无电流，功耗低，只有多子参与导电，受温度影响小，分为结型和绝缘栅（MOSFET)
未完待续。